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4×4 寄存器（OC） 54170/74170
54LS170/74LS170
170 为具有集电极开路输出的 16 位寄存器阵，共 54/74170，
54LS170/74LS170 两种线路结构形式。其主要电特性的典型值
如下：
型号 寻址时间 读允许时间 PD
54170/74170 30ns 15ns 635mW
54LS170/74LS170 25ns 20ns 125mW
170 由每字 4 位的 4 字组成，写入寻址与读出寻址分开，
并有单独的读出线。
写入时，待储存的 4 位字由D0～D3 输入，字的地址由写
地址译码输入（AW0、AW1）和写允许（ W EN ）来确定。当 W EN
为高电平时数据输入被禁止。
读出时，字的地址由读地址译码输入（AR0、AR1）和读允
许（ R EN ）来确定。当ENR为高电平时数据输出端（Q0～Q3）
被禁止并为高电平。
170 可同时读出和写入。寻址时数据不丢失。
利用集电极开路输出，当把 256 个输出端“线与”连接，
即可增加容量到 1024 字。若将任意个寄存器并联可形成 n 位
字长。
引出端符号
AR0、AR1 读地址输入端
AW0、AW1 写地址输入端
D0～D3 数据输入端
R EN 读允许端（低电平有效）
W EN 写允许端（低电平有效）
Q0～Q3 输出端
极限值
电源电压 7V
输入电压
54/74170 5.5V
54/74LS170 7V
输出截止态电压电压
54/74170 5.5V
54/74LS170 7V
工作环境温度
54××× -55～125℃
74××× -0～70℃
储存温度 -65℃～150℃
54LS170/74LS170
170 为具有集电极开路输出的 16 位寄存器阵，共 54/74170，
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并有单独的读出线。
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地址译码输入（AW0、AW1）和写允许（ W EN ）来确定。当 W EN
为高电平时数据输入被禁止。
读出时，字的地址由读地址译码输入（AR0、AR1）和读允
许（ R EN ）来确定。当ENR为高电平时数据输出端（Q0～Q3）
被禁止并为高电平。
170 可同时读出和写入。寻址时数据不丢失。
利用集电极开路输出，当把 256 个输出端“线与”连接，
即可增加容量到 1024 字。若将任意个寄存器并联可形成 n 位
字长。
引出端符号
AR0、AR1 读地址输入端
AW0、AW1 写地址输入端
D0～D3 数据输入端
R EN 读允许端（低电平有效）
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Q0～Q3 输出端
极限值
电源电压 7V
输入电压
54/74170 5.5V
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