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TC4421A/TC4422A 是早先TC4421/TC4422 系列单输
出MOSFET 驱动器的性能提升版本。这些器件是强电
流缓冲器/ 驱动器，能够驱动大功率MOSFET 或绝缘
栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，
IGBT）。TC4421A/TC4422A 除具有匹配的输出上升和
下降时间外，还具有匹配的上升沿和下降沿传输时延。
TC4421A/TC4422A 器件还具有极低的交叉导通电流，
可以降低器件的总功耗。
这些器件基本上不受任何干扰因素的影响，除非直接过
压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内，任何情况
下都不会闭锁。当接地端的地弹反射（ground bounce）
小于等于5V 的情况下，这些器件不会受损或产生误操
作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任何极性的
大于1A的感应电流，而不会造成器件损害或逻辑混乱。
另外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为4 kV 的
静态放电。
TC4421A/TC4422A的输入端可以由TTL或CMOS（3V
至18V）直接驱动。此外，输入端有300 mV 的迟滞电
压，可以防止噪声干扰，并允许使用缓慢上升或下降的
波形来驱动器件。
TC4421A/TC4422A 系列的9A MOSFET 驱动器采用表
面贴装和过孔封装形式，并且具有宽的工作温度范围，
适合于大多数需要很高的门/ 线路容性驱动的应用。
出MOSFET 驱动器的性能提升版本。这些器件是强电
流缓冲器/ 驱动器，能够驱动大功率MOSFET 或绝缘
栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，
IGBT）。TC4421A/TC4422A 除具有匹配的输出上升和
下降时间外，还具有匹配的上升沿和下降沿传输时延。
TC4421A/TC4422A 器件还具有极低的交叉导通电流，
可以降低器件的总功耗。
这些器件基本上不受任何干扰因素的影响，除非直接过
压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内，任何情况
下都不会闭锁。当接地端的地弹反射（ground bounce）
小于等于5V 的情况下，这些器件不会受损或产生误操
作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任何极性的
大于1A的感应电流，而不会造成器件损害或逻辑混乱。
另外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为4 kV 的
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TC4421A/TC4422A的输入端可以由TTL或CMOS（3V
至18V）直接驱动。此外，输入端有300 mV 的迟滞电
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波形来驱动器件。
TC4421A/TC4422A 系列的9A MOSFET 驱动器采用表
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