基于SST26WF016B / SST26WF016BA下的1.8V 串行四 I/O（SQI）闪存

　　特性

　　• 单电压读写操作

　　– 1.65-1.95V

　　• 串行接口架构

　　– 采用类 SPI 串行命令结构的半字节宽复用 I/O

　　- 模式 0 和模式 3

　　– x1/x2/x4 串行外设接口（Serial Peripheral Interface，

　　SPI）协议

　　• 高速时钟频率

　　– 最高 104 MHz

　　• 突发模式

　　– 连续线性突发

　　– 8/16/32/64 字节带回绕线性突发

　　• 超高可靠性

　　– 可擦写次数：100，000 次（最小值）

　　– 数据保存时间大于 100 年

　　• 低功耗：

　　– 读操作工作电流：15 mA（104 MHz 时的典型值）

　　– 待机电流：8 µA（典型值）

　　• 页编程

　　– x1 或 x4 模式下每页 256 字节

　　• 写操作结束检测

　　– 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位

　　• 灵活的擦除功能

　　– 均一 4 KB 扇区

　　– 4 个 8 KB 顶部和底部参数覆盖块

　　– 1 个 32 KB 顶部和底部覆盖块

　　– 均一 64 KB 覆盖块

　　• 写暂停

　　– 暂停编程或擦除操作以访问另一个块 / 扇区

　　• 软件复位（RST）模式

　　• 软件写保护

　　– 独立块锁定

　　- 64 KB 块、2 个 32 KB 块和 8 个 8 KB 参数块

　　• 安全 ID

　　– 一次性可编程（One-Time Programmable，OTP）的

　　2 KB 安全 ID

　　- 出厂前预编程的 64 位惟一标识符

　　- 用户可编程区域

　　• 温度范围

　　– 工业级：-40°C 至 +85°C

　　• 可用封装

　　– 8 触点 WSON（6 mm x 5 mm）

　　– 8 引脚 SOIC（150 mil）

　　– 8 球 XFBGA（Z-Scale™）

　　• 所有器件均符合 RoHS 标准