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特性
• 单电压读写操作
– 2.7-3.6V
• 串行接口架构
– 兼容 SPI：模式 0 和模式 3
• 高速时钟频率
– 高达 80 MHz
• 超高可靠性
– 可擦写次数：100，000 次 – 数据保存时间大于 100 年
• 低功耗：
– 读操作工作电流：10 mA（典型值）
– 待机电流：5 µA（典型值）
• 灵活的擦除功能
– 均一 4 KB 扇区 – 均一 32 KB 覆盖块 – 均一 64 KB 覆盖块
• 快速擦除和字节编程：
– 全片擦除时间：35 ms（典型值）
– 扇区 / 块擦除时间：18 ms（典型值）
– 字节编程时间：7 µs（典型值）
• 自动地址递增（Auto Address Increment，AAI）
字编程
– 与字节编程操作相比，可减少总芯片编程时间
• 写操作结束检测
– 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位
– SO 引脚上的忙状态读出
• 保持引脚（HOLD#）
– 在不取消选择器件的情况下暂停存储器的串行序列
• 写保护（WP#）
– 使能 / 禁止状态寄存器的锁定功能
• 软件写保护
– 通过状态寄存器中的块保护位实现写保护
• 温度范围
– 工业级：-40°C 至 +85°C
• 可用封装
– 8 引脚 SOIC（200 mil）
– 8 触点 WSON（5 X 6 mm）
• 所有器件均符合 RoHS 标准
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