资料介绍
特性
• 单电压读写操作
– 2.7-3.6V
• 串行接口架构
– 兼容 SPI:模式 0 和模式 3
• 双输入/输出支持
– 快速读取双输出指令 – 快速读取双 I/O 指令
• 高速时钟频率
– 高速读 (0BH)时为 80 MHz – 快速读取双输出 (3BH)时为 75 MHz – 快速读取双 I/O (BBH)时为 50 MHz – 读取指令 (03H)时为 33 MHz
• 超高可靠性
– 可擦写次数:100,000 次 (典型值)
– 数据保存时间大于 100 年
• 低功耗
– 读操作工作电流:12 mA (80 MHz 时的典型值),
对于单个位读取
– 读操作工作电流:14 mA (75 MHz 时的典型值),
对于双位读取
– 待机电流:5 µA (典型值)
• 灵活的擦除功能
– 均一 4 KB 扇区
– 均一 32 KB 覆盖块
– 均一 64 KB 覆盖块
• 快速擦除
– 全片擦除时间:35 ms (典型值)
– 扇区/块擦除时间:18 ms (典型值)
• 页编程
– 每页 256 字节
– 单输入和双输入支持
– 1.5 ms (典型值)的快速页编程时间
• 写操作结束检测
– 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位
• 写保护 (WP#)
– 使能/禁止状态寄存器的锁定功能
• 软件写保护
– 通过状态寄存器中的块保护位实现写保护
• 安全 ID
– 可一次性编程(One-Time Programmable,OTP)
的 256 位安全 ID
- 出厂前预编程的 64 位惟一标识符
- 192 位用户可编程
• 温度范围
– 商业级:0°C 至 +70°C
– 工业级:-40°C 至 +85°C
• 可用封装
– 16 引脚 SOIC (300 mil)
– 8 触点 WSON (6 mm x 8 mm)
– 8 引脚 SOIC (200 mil)
• 所有器件均符合 RoHS 标准
- 基于SST39VF3201C/SST39VF3202C32 Mb (x16)多用途闪存
- 基于SST25WF512/SST25WF010/SST25WF020/SST25WF040下的串行闪存
- 基于SST26WF016B / SST26WF016BA下的1.8V 串行四 I/O(SQI)闪存
- 基于SST25VF020B下的2 Mb SPI 串行闪存
- 基于SST25VF032B下的32 Mb SPI 串行闪存
- 基于SST26WF016B/SST26WF016BA下的1.8V串行四I/O(SQI)闪存
- 64Mb(x16)高级多用途闪存+SST38VF6401B/SST38VF6402B/SST38VF6403B/SST38VF6404B
- 从SST25VF016B/032B移植到SST26VF016B和SST26VF032B/032BA.pdf
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