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特性
• 按 512K x16 的形式组织
• 单电压读写操作
– 1.65-1.95V
• 超高可靠性
– 可擦写次数：100，000 次 （典型值）
– 数据保存时间大于 100 年
• 低功耗 （5 MHz 时的典型值）
– 工作电流：5 mA （典型值） – 待机电流：5 µA （典型值）
• 扇区擦除功能
– 均一 2K 字扇区
• 块擦除功能
– 均一 32K 字块
• 快速读取访问时间
– 70 ns
• 锁存地址和数据
• 快速擦除和字编程
– 扇区擦除时间：36 ms （典型值）
– 块擦除时间：36 ms （典型值）
– 全片擦除时间：140 ms （典型值）
– 字编程时间：28 µs （典型值）
• 自动写时序
– 内部 VPP 生成
• 写操作结束检测
– 翻转位
– 数据 # 查询
• CMOS I/O 兼容性
• JEDEC 标准
– 闪存 EEPROM 引脚排列和命令集
• 可用封装
– 48 球 TFBGA （6 mm x 8 mm）
– 48 球 WFBGA （4 mm x 6 mm）微小封装
– 48 球 XFLGA （5 mm x 6 mm）微小封装
– 48 球 XFLGA （4 mm x 6 mm）微小封装
• 所有器件均符合 RoHS 标准
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