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. BTN7971B是一个集成的大电流半桥电机驱动应用。它是Novalistic™系列的一部分，包含一个P通道高侧MOSFET和一个N通道低侧MOSFET，一个封装中带有集成驱动IC。由于P通道高压侧开关，因此无需充电泵，从而将EMI降至最低。集成驱动芯片易于与微控制器接口，具有逻辑电平输入、电流检测诊断、转换率调整、死区时间产生和过温、过电压、欠压、过流和短路保护等特点。
BTN797 1B提供了一种用于保护高电流PWM电机驱动器的成本优化解决方案，具有非常低的电路板空间消耗。
BTN7971B是Novalistic™系列的一部分，包含三个单独的芯片，一个封装在一个封装中：一个P通道高侧MOSFET和一个N通道低侧MOSFET以及一个驱动IC，形成一个集成的大电流半桥。三个芯片均安装在一个通用引线框架上，采用片上芯片和逐片技术。电源开关采用垂直MOS技术，以确保最佳的通态电阻。由于P沟道高边开关，电荷泵的需要被消除，从而最小化EMI。集成驱动芯片易于与微控制器接口，具有逻辑电平输入、电流检测诊断、转换率调整、死区时间产生和过温、过电压、欠压、过流和短路保护等特点。BTN7971B可与其他BTN7971B组合，形成HBridge和3相驱动配置。
特征
•150°C时最大路径电阻为30.5 MΩ（典型16 MΩ@25°C）
高压侧：最大12.8 MΩ@150°C（典型7 MΩ@25°C）
低压侧：最大17.7 MΩ@150°C（典型9 MΩ@25°C）
•典型的低静态电流。7μA @ 25°C
•高达25 kHz的脉宽调制能力，结合主动飞轮
•提高开关速度，减少开关损耗
•开关模式电流限制，以减少过流中的功耗
•电流限制水平为50 A最小值/70 A典型值。（下侧）
•具有当前感知能力的状态标志诊断
•超温关闭，带锁扣行为
•过电压锁定
•欠压停机
•带逻辑电平输入的驱动电路
•可调转换速率，优化EMI
•绿色产品（符合RoHS）
•符合AEC标准
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