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这一系列设备在16位数据总线上提供低电压下的高性能。单独的可擦除存储块的大小是为了最佳的代码和数据存储。初始通电或重置后返回时，设备默认为异步页面模式读取。配置RCR启用同步突发模式读取。在同步突发模式下，输出数据与用户提供的时钟信号同步。等待信号提供了一个简单的CPU到闪存的同步。除了增强的体系结构和接口外，该设备还采用了能够实现快速工厂程序和擦除操作的技术。该设备具有256字的缓冲区，以实现最佳的编程性能，可将系统编程吞吐量时间显著提高到1.8MByte/s。P33-65nm SBC设备支持VCC在3.0V下的读取操作，以及VPP在3.0V或9.0V下的擦除和编程操作。缓冲增强的工厂编程提供最快的闪存阵列编程性能与VPP在9.0V，这增加了工厂吞吐量。在3.0V的VPP下，VCC和VPP可以结合在一起，实现简单、超低功耗的设计。除了电压灵活性之外，当VPP≤VPPLK时，专用VPP连接还提供完整的数据保护。命令用户界面是系统处理器和设备所有内部操作之间的界面。内部写状态机自动执行块擦除和程序所需的算法和计时。状态寄存器指示擦除或程序完成以及可能发生的任何错误。工业标准命令序列调用程序并擦除自动化。每次擦除操作都会擦除一个块。擦除挂起功能允许系统软件暂停擦除周期以读取或编程另一个块中的数据。程序暂停允许系统软件暂停编程以读取其他位置。数据以字为增量（16位）编程。一次性可编程（OTP）寄存器允许唯一的闪存设备识别，可用于提高系统安全性。单个块锁定功能提供零延迟块锁定和解锁。P33-65nm SBC设备通过密码访问模式增加了增强的保护，允许用户保护对定义块的写和/或读访问。此外，P33-65nmsbc器件还可以提供全器件OTP永久锁特性。
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