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IRF630设计参数总结
(1) 采用n/n+外延片, 晶向(100)、衬底电阻率 0.004Ω cm (掺砷)、
硅片厚450 μm、外延层电阻率为 3.4－3.8Ω cm、
外延层厚19－21μm
(磷注入工艺)。
（注：工艺过程中，衬底向外延层反扩约1.6 μm）
(2) 纵向结构参数：
I. P＋扩散结深3.3 μm , 浓度为8×1018－3.5×1019。
II.P－扩散结深 2.4μm, 浓度为2.830×1017。
III. N+扩散结深0.4 μm. 浓度﹥5×1020。
IV.栅氧化层厚5000A。
V. Al膜厚大于2μm。
（3）横向结构参数：
I. 方型单胞，正方形排列。单胞多晶硅尺寸为9μm，扩散窗口区尺寸为8μm，
II.单胞面积为17μm×17μm =289μm²。
III. 芯片面积为2434μm×2417μm=5.88mm²。
IV.栅压焊点面积为247μm×187µm=0.0462mm²。
V. 器件有效总单胞数为17118个。
VI.器件有效面积为17118×289μm²=4.95mm²。
VII. 划片道横向为66µm，纵向为63μm。
VIII. 总面积2.5×2.48＝6.2mm²。
（4）设计规则：套刻精度：1.5微米；最小尺寸：2微米
(1) 采用n/n+外延片, 晶向(100)、衬底电阻率 0.004Ω cm (掺砷)、
硅片厚450 μm、外延层电阻率为 3.4－3.8Ω cm、
外延层厚19－21μm
(磷注入工艺)。
（注：工艺过程中，衬底向外延层反扩约1.6 μm）
(2) 纵向结构参数：
I. P＋扩散结深3.3 μm , 浓度为8×1018－3.5×1019。
II.P－扩散结深 2.4μm, 浓度为2.830×1017。
III. N+扩散结深0.4 μm. 浓度﹥5×1020。
IV.栅氧化层厚5000A。
V. Al膜厚大于2μm。
（3）横向结构参数：
I. 方型单胞，正方形排列。单胞多晶硅尺寸为9μm，扩散窗口区尺寸为8μm，
II.单胞面积为17μm×17μm =289μm²。
III. 芯片面积为2434μm×2417μm=5.88mm²。
IV.栅压焊点面积为247μm×187µm=0.0462mm²。
V. 器件有效总单胞数为17118个。
VI.器件有效面积为17118×289μm²=4.95mm²。
VII. 划片道横向为66µm，纵向为63μm。
VIII. 总面积2.5×2.48＝6.2mm²。
（4）设计规则：套刻精度：1.5微米；最小尺寸：2微米
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