功率MOSFET

MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET 主要是N沟道增强型。
2.1 功率MOSFET 的结构
功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS 管是横向导电器件，功率MOSFET 大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。
按垂直导电结构的差异，又分为利用V 型槽实现垂直导电的VVMOSFET 和具有垂直导电双扩散MOS 结构的VDMOSFET
（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS 器件为例进行讨论。
功率 MOSFET 为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET 采用了六边形单元；西门子公司
（Siemens）的SIPMOSFET 采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS 采用了矩形单元按“品”字形排列。
2.2 功率MOSFET 的工作原理
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P 基区与N漂移区之间形成的PN结J1 反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P 区中的空穴推
开，而将P 区中的少子—电子吸引到栅极下面的P 区表面
当UGS 大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P 区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P 型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。