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Introduction
For next generation flash memory
development, it is necessary to resolve
two issues. For higher operation speed,
it is necessary to shorten the time to
write and erase memory cells. For
higher reliability, it is necessary to
make the life of memory cells longer.
Therefore, evaluation of memory cell
characteristics related to write/erase
time and memory cell’s life is very
important.
For next generation flash memory
development, it is necessary to resolve
two issues. For higher operation speed,
it is necessary to shorten the time to
write and erase memory cells. For
higher reliability, it is necessary to
make the life of memory cells longer.
Therefore, evaluation of memory cell
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