电子元器件基础教程之场效应管和晶闸管与光电耦合器的资料说明

　　1.6 场效应管：

　　定义：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写FET），简称场效应管，FET是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

　　由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。主要有两种类型：结型场效应管（JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（MOS-FET）。

　　它属于电 控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　1.6.1场效应管的工作原理：

　　（1）JFET 工作原理：N沟道JFET工作时，

　　必须在栅极和源极之间加一个负电压， JFET示意图

　　VGS《 0，在D-S间加一个正电压 VDS》0，在电场作用电流由漏极流向源极，形成电流iD.栅极与沟道间的PN结反偏，栅极电流iG接近0，随着VGS减小，PN结反偏，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，ID减小；VGS更负时，沟道更窄，ID更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断， ID≈0。这时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP

　　MOSFET 工作原理：

　　利用VGS的大小来控制半导体表面“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，从而达到控制漏极电流大小的目的。

　　场效应管：

　　1.6.2场效应管的特点：

　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；

　　（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

　　（5）场效应管的抗辐射能力强；

　　（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。