如何设计和选择合适的高功率宽带放大器

　　高功率宽带放大器的设计是一件非常有挑战性的工作，工程师需要在多个相互对立的设计参数之间进行折中。对于一个放大器用户来说，不论是初始投资还是以后的运行成本都是非常重要的考虑因素。本文将深入探讨这些需求以及有哪些选择，可以达到这些相互矛盾的设计目标。对于具体的应用，还会给出建议来选择合适的放大器及最需要考量的关键设计参数。

　　宽带放大器的设计者需要满足多种设计需求，例如，对许多应用来说，宽带放大器需要足够的线性，且在谐波频率处是全反射的。此外，对于雷达，军用发射机等非广播电视的应用来讲，放大器还必须能够承受输出端巨大的失配，这些通常是连接天线的特性，终端负载，待测设备本身的反射等原因造成的。对于这些应用，放大器的强健性，也就是说不易损坏就变得异常重要了。由于放大器损坏导致的不可测量，就意味着工程会面临严重且昂贵的延误，甚至实验室的收益也会受到损失等。从商业的角度来讲，不论是初始投资还是以后的运行成本都是非常重要的。因此，高的可靠性以及易维护性就是达到这些目标的关键因素。此外，对于超大功率的宽带放大器来说，为了降低运转费用，还需要尽可能的提高功率效率。本文的第二部分将对此进行详细讨论。当为某一个特定应用寻找放大器的时候，最重要的是能都解释清楚数据表中的各个参数，不同的功放制造商定义功放参数的方式是不一样的。第三部分将建议如何读懂这参数并如何对比。

　　高功率宽带放大器设计的挑战

　　设计高功率宽带放大器时，工程师需要对带宽 ，增益，输出功率以及在各种幅度和相位条件下失配的行为特性，线性度，谐波特性，功率效率等进行综合考虑，并从中找出最重要的优先考虑的指标。这些指标大多是相互影响的，对于给定的晶体管类型来说，设计的带宽增加，能够得到的输出功率就会减小。更加具有挑战性的是，为了达到更大的输出功率，匹配网络以及相应的功分电路，功率合成电路就会变得更加困难。同时，功放管的使用寿命非常依赖于放大器的散热设计和功放管外围的保护电路。对于A类 放大器，晶体管通常偏置在一个较大的静态电流上，这样可以得到一个非常线性的放大特性，但是却要承受差的功率效率，并对晶体管带来很大的散热压力。AB类放大器相比A类放大器具有低的静态偏置电流，同样可以得到很好的线性特性，以及好得多的功率效率，晶体管的散热压力得到减小。通常都采用推挽结构来进行电路设计。为了更好的理解热应力对晶体管使用寿命的影响，我们可以以典型LDMOS晶体管的结温行为特性来说明，如图1所示。根据经验所说，结温降低10度，晶体管寿命可以增加一倍。如果使用GaN晶体管，结温的降低对寿命有更大的好处。现在的功放管可以提供更大的RF 功率密度，能够实现更加紧凑尺寸更小的放大器，设计的关键就变成了如何设计更加高效的热沉来处理功放管耗散出来的大量热能。对于A类放大器来说，这通常是难以实现的，需要更多的晶体管，并降低每个晶体管的最大功率输出，来处理散热难题。即使这样，A类放大器在没有射频输入的情况下，仍然具有很高的结温，原因在于它们具有很大的静态偏置电流，当散热设计处理不好时，使用寿命就会大大减少。

　　对于一些应用来说，并不是总是需要宽带放大器提供最大的功率输出，例如进行EMS测试。图2 显示的是在一个200伏/米的 EMS系统中，放大器加到EMS天线上的功率随频率变化的校准曲线。可以看出，需要不同的功率输出来达到相应的场强。如图2 中描述的，在100MHz处，需要的最大前向功率是1050瓦左右，而在200MHz及以上频率处 ，所需的最大前向功率降到 600瓦左右，对于某些频点 甚至可以降低到400瓦左右。因此，在这些EMS应用当中，AB类放大器相比A类放大器具有更好的效率，晶体管更低的结温可以带来更长的使用寿命。

　　在EMS 测试中，为达到200伏/米的场强，放大器输出和天线输入端在不同频率处所需要达到的前向功率

      不考虑高功率宽带放大器的类型，高的驻波比也会对晶体管带来额外的压力。因为反射回来的射频功率也会消散在放大器电路中，这又进一步增加了晶体管的结温。为了避免高的驻波比损坏放大器，必须设计出高效的功率耗散电路，这可以通过散热系统合理的布局来实现，包括在相关的热点布置热传感器，也可以通过监控晶体管的相关电压和电流实现。另外，功放设计师和产品设计人员还要决定是否增加足够的半导体功率单元，以保证放大器能够在很差的驻波比情况下仍可以提供足够的前向功率，或者是允许放大器在一定驻波比下开始回退。更多的半导体功率单元就意味着成本更高的放大器，市场上就需要一个更高的价格。