GaN功率放大器的设计有哪些关键点

　　氮化镓技术的不断进步促使设备在更高的功率、电源电压和频率下工作。

　　Qorvo的QPD1013晶体管采用0.50 µm GaN-on-SiC技术。它采用具有成本效益的6.6x7.2 mm DFN（双边扁平无引脚）封装，与传统的金属陶瓷封装相比，可以实现更简单的PCB组装。尽管Qorvo的GaN晶体管效率非常高，但考虑到高RF功率电平意味着即使是高效的PA，晶体管也将具有显著功耗。由于晶体管是SMT组件，因此需要仔细设计PCB以优化热性能。已经对两种方法进行了评估，并报告了两者的结果。第一种方法在晶体管的接地焊盘下使用覆铜孔阵列，第二种方法使用铜币技术。铜币是在制造期间嵌入到PCB中的一块实心铜（通常称为金属块），以允许从晶体管到安装了PCB的载体的有效热传递。许多PCB制造商都具有覆铜孔技术经验，但射频频率下的铜币技术还未成熟。

　　最大增益（3 台设备）最大增益（dB） 频率（GHz） 负载牵引测量值显示，当以10%的占空比和100 µs脉冲宽度工作时，晶体管可提供超过52dBm 160 W） 的RF输出功率，效率约为70%。此负载牵引数据被用作PA大信号设计的基础。功率放大器设计 PA设计的起点是使晶体管在整个工作频段内无条件保持稳定。必须首先确保带内的稳定性，这通过在RF输入端纳入RC稳定网络来实现。串联电阻消耗的功率对于传统SMT组件来说过高，所以使用了来自IMS的高功率氮化铝电阻。放大器需要在40°C以下的所有频率中无条件保持稳定，以使放大器在较广的温度范围内工作。通过在偏置馈电点添加适当的RC去耦（可在设计过程中稍后添加），可以大大提高低频段稳定性。由Qorvo提供的初始负载牵引数据用于确定1.2GHz至1.8GHz之间输出功率和漏极效率的最佳负载阻抗。QPD1013在某些负载条件下可提供高达200W的功率，但还需要仔细考虑工作效率，以确保晶体管的工作温度可以接受。选择导致最高漏极效率的负载阻抗作为由输出匹配网络呈现的目标阻抗。相应的RF输出功率电平仍然很高，并且更高的效率确保了可接受的热性能。输出匹配网络利用带通拓扑来满足目标负载阻抗。高工作电压和高RF功率电平对粗心的设计师构成潜在陷阱。保持RF轨道足够宽以避免由于非常高的RF功率电平引起的温度过高和潜在破坏，这非常重要。必须仔细选择匹配电容以具有足够的击穿电压，从而承受具有足量Q的直流加RF电压摆幅，以避免过多的功耗和效率降低。使用Keysight Momentum对输出匹配网络的金属件进行平面EM仿真，并结合O805 SMT组件的嵌入式高频模型模拟多端口S 参数块。图3 显示了输出匹配网络电路的混合EM/原理图