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镓（Ga） 是一种化学元素，原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。 GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构（如下图所示）呈六方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。
GaN 晶体结构
在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1，100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅［SiC］，电源电子应用中为硅［Si］）上通过金属有机物化学气相淀积（MOCVD） 或分子束外延（MBE） 技术而制成。 GaN-on-SiC 方法结合了GaN 的高功率密度功能与SiC 出色的导热性和低射频损耗。这就是GaN-on-SiC 成为高功率密度射频应用合并选择的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直径可达6 英寸。 GaN-on-Si 合并的热学性能则低得多，并且具有较高的射频损耗，但成本也低很多。这就是GaN-on-Si 成为价格敏感型电源电子应用合并选择的原因所在。如今，GaN-on-Si 基板的直径可达12 英寸。
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