5G宏基站电源设计的一些建议详细说明

　　对 5G 时代的电源设计工程师来说，新拓扑结构和新材料是必须要熟悉的，因为碳化硅、氮化镓等新材料器件出来的时间并不长，每个厂商推出的器件特性都是不一样的，不像硅器件特性大家都比较熟悉。因此，程文涛建议电源设计工程师，尽早熟悉新材料器件、高频化设计，开拓设计思路，以适应未来的电源设计工作。对于宏基站，在一次电源和二次电源的优化方面，英飞凌的程文涛给出了一些建议。“在一次电源方面，我们看到一个很明显的趋势是要求高效率和高功率密度。现在电源的效率要达到 97%，甚至 98%的工作效率。” 要达到这个效率目标，程文涛认为一是需要用到新的拓扑结构，他举例说，ACDC 的拓扑结构将会从有桥 PFC，逐渐过渡到无桥 PFC，甚至图腾柱拓扑结构;二是必须采用新的材料，包括现在热门的碳化硅 MOSFET 和氮化镓 MOSFET;三是高频化，高频化可以提高功率密度，减小尺寸;四是贴片封装更受欢迎，SMD 封装成为了主流。

　　对 5G 时代的电源设计工程师来说，新拓扑结构和新材料是必须要熟悉的，因为碳化硅、氮化镓等新材料器件出来的时间并不长，每个厂商推出的器件特性都是不一样的，不像硅器件特性大家都比较熟悉。因此，程文涛建议电源设计工程师，尽早熟悉新材料器件、高频化设计，开拓设计思路，以适应未来的电源设计工作。对于宏基站，在一次电源和二次电源的优化方面，英飞凌的程文涛给出了一些建议。“在一次电源方面，我们看到一个很明显的趋势是要求高效率和高功率密度。现在电源的效率要达到 97%，甚至 98%的工作效率。” 要达到这个效率目标，程文涛认为一是需要用到新的拓扑结构，他举例说，ACDC 的拓扑结构将会从有桥 PFC，逐渐过渡到无桥 PFC，甚至图腾柱拓扑结构;二是必须采用新的材料，包括现在热门的碳化硅 MOSFET 和氮化镓 MOSFET;三是高频化，高频化可以提高功率密度，减小尺寸;四是贴片封装更受欢迎，SMD 封装成为了主流。对于二次电源部分，新的拓扑结构并不多，更主要的是使用新材料和高频化器件。