随着无铅技术在全球的推广，NV-SRAM 成为 NVRAM 的普遍选择。本篇文章主要介绍了 NV-SRAM 与电池供电 SRAM（BBSRAM）相比所具有的优点。

 

BBSRAM 是什么？
BBSRAM 又称 BatRAM，它是嵌入式单封装中多个芯片和电池元件的组合。电池可以集成在封装中，同集成在塑料 DIPS 中相似。还可以将该电池安装在封装顶层上，然后机械地添加一个类似于 SOIC 中使用的上盖。按照访问其他 SRAM 的方式访问 BBSRAM。当供电电压（VCC）低于指定电压电平时，内部电池将被打开以维持存储器中的内容，直到 VCC 返回到有效条件为止。

 

NV-SRAM 是什么？
赛普拉斯 NV-SRAM 是一种快速静态 RAM（SRAM），且每个存储器单元中都包含非易失性单元。采用 SONOS 技术，可以将嵌入式非易失性单元制造成世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM 能够实现无限次的读写周期，同时独立的非易失性数据则被存储在高度可靠的 SONOS 单元内。断电时通过使用 VCAP 引脚上连接的小型电容上保存的电荷，将数据从 SRAM 中自动转移到非易失性单元中（自动存储操作）。加电时数据会从非易失性存储器单元重新存储到 SRAM 内（加电回读操作）。“存储”和“回读”操作也可以在软件控制下执行。

 

NV-SRAM 的优点
同一个多组件的解决方案相比，NV-SRAM 是一个单片解决方案，它带有一个小型的外部电容。因此与 BBSRAM 解决方案相比，它的优点更多