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电子发烧友网>电子资料下载>电子资料>用集成驱动器优化氮化镓性能

用集成驱动器优化氮化镓性能

2022-11-02 | pdf | 433.58KB | 次下载 | 免费

资料介绍

导读: 将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。 氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当压摆率很高时,特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感,并且优化开关性能。集成驱动器还可以实现保护功能 简介 氮化镓 (GaN) 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET,因为在同等导通电阻的情况下,氮化镓 (GaN) 晶体管的终端电容较低,并避免了体二极管所导致的反向恢复损耗。正是由于这些特性,GaN FET可以实现更高的开关频率,从而在保持合理开关损耗的同时,提升功率密度和瞬态性能。 传统上,GaN器件被封装为分立式器件,并由单独的驱动器驱动,这是因为GaN器件和驱动器基于不同的处理技术…
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