资料介绍
附加信息:附加信息:流行的多电源总线(例如 VME、VXI 和 PCI)的背板均提供 3.3V、5V 和 ±12V(或 ±24V)的功率限制输出。如果在这些系统中添加线卡会增加对 3.3V 或 5V 电源的要求,那么电源预算可能会决定电路从轻载 -12V 电源获取电源。流行的多电源总线(例如 VME、VXI 和 PCI)的背板均提供 3.3V、5V 和 ±12V(或 ±24V)的功率限制输出。如果在这些系统中添加线卡会增加对 3.3V 或 5V 电源的要求,那么电源预算可能会决定电路从轻载 -12V 电源获取电源。下图显示了一个电路,该电路通过将 -12V 电源升压至 15.3V(相对于 -12V 电源轨)从 -12V 获得 3.3V,并提供高达 300mA 的电流。晶体管 Q2 将 3.3V 输出电平转换为 -10.75V 的反馈电平。下图显示了一个电路,该电路通过将 -12V 电源升压至 15.3V(相对于 -12V 电源轨)从 -12V 获得 3.3V,并提供高达 300mA 的电流。晶体管 Q2 将 3.3V 输出电平转换为 -10.75V 的反馈电平。该 PWM 升压控制器 IC 通过从 VME、VXI 或 PCI 背板的轻载 -12V 电源轨生成一个补充的 3.3V 稳压输出,从而缓解过载的 3.3V 背板电源。该 PWM 升压控制器 IC 通过从 VME、VXI 或 PCI 背板的轻载 -12V 电源轨生成一个补充的 3.3V 稳压输出,从而缓解过载的 3.3V 背板电源。该电路占用大约 6.25cm² 的 PC 板空间,并采用 PWM 升压控制器,可在 83% 的效率水平下提供 1W 功率。该电路占用大约 6.25cm² 的 PC 板空间,并采用 PWM 升压控制器,可在 83% 的效率水平下提供 1W 功率。由于检测电阻器 (R 由于检测电阻器 (R SENSESENSE ) 将峰值电流限制在 120mA 左右,n 沟道开关 MOSFET (Q1) 可以是一种廉价的逻辑电平器件。电阻器 R1 和 R2 允许将 V ) 将峰值电流限制在 120mA 左右,n 沟道开关 MOSFET (Q1) 可以是一种廉价的逻辑电平器件。电阻器 R1 和 R2 允许将 V OUTOUT选择为 3.3V 或 5V。选择为 3.3V 或 5V。请注意,平衡时的反馈电压(引脚 5,由 IC1 内部比较器的跳变点确定)比 PGND 端子(引脚 7)高 1.25V。要计算适当的 R1/R2 值:请注意,平衡时的反馈电压(引脚 5,由 IC1 内部比较器的跳变点确定)比 PGND 端子(引脚 7)高 1.25V。要计算适当的 R1/R2 值:V V FBFB
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