QuickChip 设计示例 2

2077297 2022-11-18 | pdf | 119.42KB | 次下载 | 免费

资料介绍

©1998 IEEE。©1998 IEEE。经许可转载自 1998 年 IEEE 微波和导波快报，卷。3，第 3 期，第 136-137 页经许可转载自 1998 年 IEEE 微波和导波快报，卷。3，第 3 期，第 136-137 页一、简介一、简介在蜂窝电话和数字无绳电话等便携式通信设备中，制造商正试图用高密度 IC 替换尽可能多的分立器件，以在尺寸、重量、功耗和价格方面具有竞争力。在最近的一些论文中描述了用于 S 波段的低功率 LNA [1,2,3]。这些 LNA 是使用一些复杂的 GaAs 全定制工艺制造的。由于最先进的硅双极工艺的高频性能正在不断改进，具有有限组件选择的低成本半定制阵列为 RF 应用提供了合理的解决方案。在蜂窝电话和数字无绳电话等便携式通信设备中，制造商正试图用高密度 IC 替换尽可能多的分立器件，以在尺寸、重量、功耗和价格方面具有竞争力。在最近的一些论文中描述了用于 S 波段的低功率 LNA [1,2,3]。这些 LNA 是使用一些复杂的 GaAs 全定制工艺制造的。由于最先进的硅双极工艺的高频性能正在不断改进，具有有限组件选择的低成本半定制阵列为 RF 应用提供了合理的解决方案。为了展示这样的解决方案，我们在这封信中展示了一个非常低功耗的单片 1.9GHz 硅 LNA，它消耗的总电流为 1.75mA，包括偏置电路。为了展示这样的解决方案，我们在这封信中展示了一个非常低功耗的单片 1.9GHz 硅 LNA，它消耗的总电流为 1.75mA，包括偏置电路。二。电路设计二。电路设计二级 LNA 的示意图二级 LNA 的示意图如图 1如图 1所示。该电路采用高增益共发射极级 (Q1-RL) 和射极跟随器输出级 (Q2-Q3)。这种方法消除了对耦合电容器的需要。第一级的电流由电阻并联反馈（R3 和 R4）设置，该反馈连接到外部匹配电感器 (L1)，因此不会发生噪声衰减。因此，仅需要单一电源电压。该反馈还改善了放大器的偏置和 RF 稳定性。所示。该电路采用高增益共发射极级 (Q1-RL) 和射极跟随器输出级 (Q2-Q3)。这种方法消除了对耦合电容器的需要。第一级的电流由电阻并联反馈（R3 和 R4）设置，该反馈连接到外部匹配电感器 (L1)，因此不会发生噪声衰减。因此，仅需要单一电源电压。该反馈还改善了放大器的偏置和 RF 稳定性。图 1. LNA 的简化示意图（灰色区域：片外匹配）。图 1. LNA 的简化示意图（灰色区域：片外匹配）。