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这份前设计简介发表在 2003 年 11 月 10 日的《这份前设计简介发表在 2003 年 11 月 10 日的《电子设计电子设计》杂志上。》杂志上。范围从 9V 到 72V 的中压和高压系统通常需要以下一种或多种电路功能：热插拔控制、断路器故障保护和浪涌电流限制。图 1范围从 9V 到 72V 的中压和高压系统通常需要以下一种或多种电路功能：热插拔控制、断路器故障保护和浪涌电流限制。图 1的电路为负载（C1 和 R2）提供浪涌电流限制和可靠的断路器功能，但仅包含一个 p 沟道 MOSFET、一个热插拔控制器 IC 和两个可选电阻器（R1 和 R3） . 在 MOSFET 漏极处添加一个低值电阻器可提供可调跳变点并提高工作温度范围内的精度（图 2）。的电路为负载（C1 和 R2）提供浪涌电流限制和可靠的断路器功能，但仅包含一个 p 沟道 MOSFET、一个热插拔控制器 IC 和两个可选电阻器（R1 和 R3） . 在 MOSFET 漏极处添加一个低值电阻器可提供可调跳变点并提高工作温度范围内的精度（图 2）。图 1. 标准断路器应用。图 1. 标准断路器应用。图 2. 在图 1 的电路中添加一个跳变点调节电阻器 (R4) 可提高其初始精度和随温度变化的精度。图 2. 在图 1 的电路中添加一个跳变点调节电阻器 (R4) 可提高其初始精度和随温度变化的精度。对于热插拔应用，U1 根据 9V/mS 的典型栅极驱动转换速率限制浪涌电流。浪涌电流由公式 I = CdV/dT = CSR 给出，其中 C = 负载电容，SR 是压摆率，由 U1 设置为 9V/mS（典型值）。对于 100µF 的负载电容，IC 将浪涌电流限制在大约 0.9A。对于热插拔应用，U1 根据 9V/mS 的典型栅极驱动转换速率限制浪涌电流。浪涌电流由公式 I = CdV/dT = CSR 给出，其中 C = 负载电容，SR 是压摆率，由 U1 设置为 9V/mS（典型值）。对于 100µF 的负载电容，IC 将浪涌电流限制在大约 0.9A。U1 的断路器功能使用内部比较器和 MOSFET 导通电阻 (R
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