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如何在降低成本的同时提高能源基础设施的效率和可靠性

2077002 2022-11-24 | pdf | 303.29KB | 次下载 | 免费

资料介绍

从电动汽车 (EV) 充电站和太阳能逆变器到储能和不间断电源系统，能源基础设施的设计人员不断面临减少碳足迹、提高可靠性和降低成本的挑战。从电动汽车 (EV) 充电站和太阳能逆变器到储能和不间断电源系统，能源基础设施的设计人员不断面临减少碳足迹、提高可靠性和降低成本的挑战。为实现这些目标，他们需要仔细研究如何优化电源转换解决方案以减少传导和开关损耗、保持良好的热性能、减小整体外形尺寸并降低电磁干扰 (EMI)。他们还必须确保所选的解决方案能够满足生产部件批准流程 (PPAP) 的要求，并符合 AEC-Q101 的要求。为实现这些目标，他们需要仔细研究如何优化电源转换解决方案以减少传导和开关损耗、保持良好的热性能、减小整体外形尺寸并降低电磁干扰 (EMI)。他们还必须确保所选的解决方案能够满足生产部件批准流程 (PPAP) 的要求，并符合 AEC-Q101 的要求。为了应对这些挑战，设计人员可以求助于各种碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET、SiC 肖特基二极管、栅极驱动器 IC 和电源模块。为了应对这些挑战，设计人员可以求助于各种碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET、SiC 肖特基二极管、栅极驱动器 IC 和电源模块。本文简要回顾了与传统硅 (Si) 方法相比，SiC 技术如何提高效率和可靠性并降低成本。然后介绍了 SiC 的封装和系统集成选项，然后介绍了本文简要回顾了与传统硅 (Si) 方法相比，SiC 技术如何提高效率和可靠性并降低成本。然后介绍了 SiC 的封装和系统集成选项，然后介绍了onsemionsemi的几个真实示例，并展示了设计人员如何最好地应用它们来优化 SiC 功率 MOSFET 和栅极驱动器性能，以应对能源基础设施的挑战。的几个真实示例，并展示了设计人员如何最好地应用它们来优化 SiC 功率 MOSFET 和栅极驱动器性能，以应对能源基础设施的挑战。碳化硅与硅碳化硅与硅SiC 是一种宽带隙 (WBG) 材料，带隙为 3.26 电子伏特 (eV)，而 Si 的带隙为 1.12 eV。它还提供 10 倍的击穿场能力，超过 3 倍的热导率，并且可以在比 Si 高得多的温度下工作。这些规范使 SiC 非常适合用于能源基础设施应用（表 1）。SiC 是一种宽带隙 (WBG) 材料，带隙为 3.26 电子伏特 (eV)，而 Si 的带隙为 1.12 eV。它还提供 10 倍的击穿场能力，超过 3 倍的热导率，并且可以在比 Si 高得多的温度下工作。这些规范使 SiC 非常适合用于能源基础设施应用（表 1）。特性特性硅硅4H-碳化硅4H-碳化硅带隙能量 (eV)带隙能量 (eV)1.121.12