电子发烧友网>电子资料下载>电子资料>用于 SiC MOSFET 和 IGBT 的双 DC/DC 转换器功率驱动器模块

用于 SiC MOSFET 和 IGBT 的双 DC/DC 转换器功率驱动器模块

2388610 2022-11-25 | pdf | 247.69KB | 次下载 | 免费

资料介绍

DC/DC 转换器在高级电力电子中的新应用DC/DC 转换器在高级电力电子中的新应用在许多人看来，电力电子与可再生能源和电动交通密切相关——换句话说：数百伏和中高千瓦范围内的功率输出。鲜为人知的是模块化电源“乐高在许多人看来，电力电子与可再生能源和电动交通密切相关——换句话说：数百伏和中高千瓦范围内的功率输出。鲜为人知的是模块化电源“乐高®盒子”中的较小元件，即直流/直流转换器。®盒子”中的较小元件，即直流/直流转换器。然而，它们同样重要，因为它们确保现代电力电子设备高效可靠地工作。然而，它们同样重要，因为它们确保现代电力电子设备高效可靠地工作。图 1：借助电力，这款车可以在 2 秒内从 0 加速到 100 km/h——这要归功于通过 RECOM 的 DC/DC 转换器供电的先进 SiC 技术。（图片来源：图 1：借助电力，这款车可以在 2 秒内从 0 加速到 100 km/h——这要归功于通过 RECOM 的 DC/DC 转换器供电的先进 SiC 技术。（图片来源：RECOM PowerRECOM Power））可再生能源领域的最新进展为电力电子技术带来了创新推动力。现代 IGBT（绝缘栅双极晶体管）在提高逆变器效率方面发挥了重要作用。与 MOSFET 类似，它们可以用最小功率驱动。当处于导通状态时，集电极-发射极路径上的损耗与双极晶体管一样低。可再生能源领域的最新进展为电力电子技术带来了创新推动力。现代 IGBT（绝缘栅双极晶体管）在提高逆变器效率方面发挥了重要作用。与 MOSFET 类似，它们可以用最小功率驱动。当处于导通状态时，集电极-发射极路径上的损耗与双极晶体管一样低。最近，通过使用新的半导体材料，它们的性能得到了进一步提高。由 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）制成的晶体管允许更高的电流和开关频率。它们还加速了开关过程并将效率从大约 95% 提高到 98% 甚至更高。虽然这看起来可能不是一项巨大的成就，但还必须考虑到这些新组件有助于将能量损失减少约 66%，从而保持低温！最近，通过使用新的半导体材料，它们的性能得到了进一步提高。由 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）制成的晶体管允许更高的电流和开关频率。它们还加速了开关过程并将效率从大约 95% 提高到 98% 甚至更高。虽然这看起来可能不是一项巨大的成就，但还必须考虑到这些新组件有助于将能量损失减少约 66%，从而保持低温！在电动汽车的背景下，不要忘记任何效率的提高都会降低系统能量损失并增加电池需要充电之前的行驶距离。更低的散热意味着更少的冷却需求，这反过来意味着更轻的重量。随着重量的减轻，加速度得到改善，车辆的电池续航里程增加。此外，新的 SiC 和 GaN 材料通常能够承受更高的温度，因此可以更有效地冷却。可以合理地假设电动汽车的未来发展将导致电力电子领域的进一步改进和创新。在电动汽车的背景下，不要忘记任何效率的提高都会降低系统能量损失并增加电池需要充电之前的行驶距离。更低的散热意味着更少的冷却需求，这反过来意味着更轻的重量。