用于最小 EMI 的降压转换器设计

2388648 2022-11-28 | pdf | 89.43KB | 次下载 | 免费

资料介绍

对于降压转换器，电感器/二极管/FET 网络是高 dv/dt 网络。最小化该网络的面积以减少其与外界的耦合。对于降压转换器，电感器/二极管/FET 网络是高 dv/dt 网络。最小化该网络的面积以减少其与外界的耦合。标记为 di/dt 的环路并不是该电路中唯一的电流环路（图 1），但它通常是最有问题的。该环路的电流变化非常快，尤其是带有二极管的支路。当 Q1 关闭时，这部分环路很快从零变为全电流。在周期开始时，Q1 导通以驱动电流通过 L1，从而将能量存储在其磁场中。电流流过 Q1、L1 和电容。D1 不涉及。当 Q1 关闭时，如果有任何可能的方式继续前进，L1 将不允许电流停止。D1 提供了这样一种方式（路径）来保持电流流动。例如，如果 Q1 开启，通过 L1 和 Q1 的电流上升到 1 A，然后 Q1 在 50 ns 内关闭，则通过 D1 的电流在 50 ns 内从零变为 1 A。那' 非常快的 di/dt！仔细布线此网。标记为 di/dt 的环路并不是该电路中唯一的电流环路（图 1），但它通常是最有问题的。该环路的电流变化非常快，尤其是带有二极管的支路。当 Q1 关闭时，这部分环路很快从零变为全电流。在周期开始时，Q1 导通以驱动电流通过 L1，从而将能量存储在其磁场中。电流流过 Q1、L1 和电容。D1 不涉及。当 Q1 关闭时，如果有任何可能的方式继续前进，L1 将不允许电流停止。D1 提供了这样一种方式（路径）来保持电流流动。例如，如果 Q1 开启，通过 L1 和 Q1 的电流上升到 1 A，然后 Q1 在 50 ns 内关闭，则通过 D1 的电流在 50 ns 内从零变为 1 A。那' 非常快的 di/dt！仔细布线此网。一些控制器将 D1（也可能是 Q1）放在 IC 内部，例如Analog Devices 的一些控制器将 D1（也可能是 Q1）放在 IC 内部，例如Analog Devices 的ADP2442ADP2442 。。从 EMC 的角度来看，这通常是一件好事。与使用分立二极管和 FET 相比，它允许保持环路面积小得多。说到分立元件，一些设计使用另一个 FET 代替 D1 来提高效率。这些是“同步”降压转换器，因为它们必须同步两个 FET 的开关以最大限度地提高效率并防止通过同时打开两个 FET 将 Vin 短路到地。但是，电流环路和拓扑是相同的。从 EMC 的角度来看，这通常是一件好事。与使用分立二极管和 FET 相比，它允许保持环路面积小得多。说到分立元件，一些设计使用另一个 FET 代替 D1 来提高效率。这些是“同步”降压转换器，因为它们必须同步两个 FET 的开关以最大限度地提高效率并防止通过同时打开两个 FET 将 Vin 短路到地。但是，电流环路和拓扑是相同的。有关有关