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氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电 阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。 氮化镓晶体可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生长氮化镓（GaN）外延层可以使用现有的硅制造基础设施，从而 无需使用高成本的特定生产设施，而且以低成本采用大直径的硅晶片。 GaN power semiconductor 2023 predictions一文有所论述，2023年对氮化镓（GaN）系统的预测，囊括了功率半导体的供应链对数据中心和新能源汽车与日俱 增的可持续性监管。该文表示我们正处于功率氮化镓（GaN）技术的转折点，随着电动化大趋势的到来和越来越多的包含半导体产品的出现，经济的赢家 和输家主要取决于那些能够更好管理其供应链的人，这些供应链不仅能够为企业和消费者生产现有产品，还能在不久的将来点燃创新之火。
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