用于NB-IOT技术的射频功率放大器的制作方法

本实用新型的目的在于提供一种用于NB-IOT技术的射频功率放大器，其采用无SMD电容电感的设计方案，可以节省封装成 本。 为实现本实用新型的目的，本实用新型提供一种射频功率放大器，其包括：基板；射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述 射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输 出匹配电路，其中第一级射频功率放大结构包括第一射频功率放大晶体管和第一偏置电路，第一偏置电路给第一射频功率放大 晶体管的基极提供偏置电压，第二级射频功率放大结构包括第二射频功率放大晶体管和第二偏置电路，第二偏置电路给第二射 频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，输入匹配电路包括依次耦接于射频输入端和第一射频功率放大晶体管的基极之间的电 容C1和电阻R1、依次耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和基极之间的电容C2和电阻R4，以及耦接于射频输入端和接地 端之间的电感L1；级间匹配电路包括耦接于电源端和第一射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC1、依次耦接于第一射 频功率放大晶体管的集电极和第二射频功率放大晶体管的基极之间的电容C4、电容C5和电阻R5，耦接于电容C4和电容C5的中 间节点和接地端之间的电感L3，耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C3和电感L2；输出匹配电路包 括耦接于电源端和第二射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC2、耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和射频输出 端之间的电容C8，依次耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C6和电感L4，依次耦接于第二射频功率 放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C7和电感L5，耦接于射频输出端和接地端之间的电感L6；其中电感L1、电感L2、电 感L3、电感L4、电感L5、电感L6、电感RFC1、电感RFC2、电感RFC3均由基板上的传输线形成。