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电子发烧友网>电子资料下载>电子资料>MOSFET/IGBT内部结构_开通关断过程及损耗_驱动功率计算

MOSFET/IGBT内部结构_开通关断过程及损耗_驱动功率计算

2023-02-23 | pdf | 4.54 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

在PN结两端不外加电压时,P型半导体区大量可自由移动的空穴和N型半导体区内的大量电子将因为浓度差向对方区间扩散,扩散电流的方向为由P流向N,其幅值与负浓度差成正比,之后在PN结附近P型区将出现由无法自由移动的负离子组成的带负电的区域和N型区的正离子组成的带正电的区域,两个区域统称为空间电荷区,也称耗尽层。空间电荷区内将出现由N型区指向P型区的电场,称为内建电场。内建电场对自由电子和空穴作用力形成漂移运动,漂移电流方向为由N流向P,与扩散运动方向相反,其幅值与扩散电场的电场强度成正比。当空间电荷区达到一定的宽度时,漂移电流等于扩散电流,流过PN结的电流为零。PN结处于动态平衡,空间电荷区宽度稳定,
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