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H桥电机驱动电路的核心包括4个MOSFET管和1个电机，如下图所示。 1 电路工作原理如下:为了使电机运转，必须导通对角线上的一对MOSFET管。根据不同MOSFET管对的导通情况，电流可能会从左至右或从右至左流过电机，从而控制电机的转向。当Q3管和Q6管导通 时，电流从电源正极经Q3从左至右穿过电机，再经Q6回到电源负极，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。当MOSFET管Q4和Q5导通时，电流将从右至左流过电机，驱动电机逆时针转动。通过控制 PWM波形的占空比，达到对电机调速的目的。我们使用单极性PWM波和方向信号控制电机的转速和转向。
H桥左边的附加电路的作用是方便单极性PWM波控制H桥4个MOSFET管的通断。其中V_GND模块是测量电路中该点相对GND的电势。分析可知通过R1，R11的上拉，电路在附加电路的MOSFET管未 导通时，输出高电平。所以Dir1，Dir2输入端口输入LOW，HIGH信号即可使Ua端口输出正值。 电路中所有的N沟道MOSFET饱和导通电压阈值为1v，P沟道MOSFET饱和导通电压阈值为-1；H桥中的二极管起到续流的作用。附加电路的二极管的作用是保证只接受正电压。 我们将该电路封装成一个子模块如下图。其中Vcc是电机能达到的最大工作电压。
H桥左边的附加电路的作用是方便单极性PWM波控制H桥4个MOSFET管的通断。其中V_GND模块是测量电路中该点相对GND的电势。分析可知通过R1，R11的上拉，电路在附加电路的MOSFET管未 导通时，输出高电平。所以Dir1，Dir2输入端口输入LOW，HIGH信号即可使Ua端口输出正值。 电路中所有的N沟道MOSFET饱和导通电压阈值为1v，P沟道MOSFET饱和导通电压阈值为-1；H桥中的二极管起到续流的作用。附加电路的二极管的作用是保证只接受正电压。 我们将该电路封装成一个子模块如下图。其中Vcc是电机能达到的最大工作电压。
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