电子灯镇流器IGBT门驱动因素

2512920 2023-07-24 | pdf | 0.24 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

本说明的目的是演示用于电子器件的快速开关IGBT 栅极驱动器的设计使用双极晶体管的镇流器。充分增强IGBT所需的电荷是其栅极-源极和漏极-栅极（Miller）电容，并通过外部栅极电阻器传输。这个IGBT的栅极电荷和输入电容值与类似的MOSFET相比更低电流额定值，因为更好地利用了硅。IGBT需要驱动级才能获得最佳性能性能，特别是当由低电压、低电流源驱动时。互补发射极跟随器电路满足栅极驱动要求。这应该是由具有高脉冲电流能力、高转换频率的晶体管构成fT和理想情况下在高集电极电流下的显著增益。提出了一种通用的门驱动解决方案在下面这包括通过负的方法最大限度地减少米勒门电荷引起的关断的可能性半桥IGBT栅极驱动器的一般要求包括：；

1.一种用于浮动N沟道IGBT的高侧栅极驱动器

2.低压侧和高压侧装置的对称切换

3.避免交叉传导

4.IGBT导通和关断时间的控制

5.高充电/放电电流能力的控制

栅极电荷量与IGBT的连续额定电流成比例所需的栅极电流。Zetex的ZXGD3002E6栅极驱动器具有良好的高频响应能够提供高达2.2A的栅极电流。典型的传播延迟时间低至2ns对于1000pF负载，上升/下降至11ns，确保快速切换以最大限度地减少失真和功率IGBT中的功率损耗。为了实现具有成本效益的压载解决方案使用适当选择的栅极驱动器、晶体管和无源元件如图1所示，尽管需要更大的板面积。