双向逆变器TAB3000W资料包分享

EG1160 是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了 5V 线性电源、运放放大器、MOS 管峰值电流保护、VCC 欠压保护、VB 欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。
EG1160 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20，V 静态功耗小于 1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO +/- 2A/2.5A，采用 SOP16 封装。

EG1615 芯片是一款专用于双向逆变器（同一套电路可作逆变器功能，又可作电池充电器功能）中的 DC
o DC 逆变升压和电池充电管理的控制芯片，集成了两路 600V 半桥高压 MOS 驱动器，驱动器的输出电流能力为+/-2A，内置四路独立的逐周 PWM 关断保护，可有效防止在极端情况下过高的峰值电流而损坏 MOS 的情况，另外提供了两路 SD，分别为 SD1，和 SD2，SD1 是驱动器 1 HO1 和 LO1 的逐周关断引脚，SD2 是驱动器2 HO2 和 LO2 的逐周关断引脚，结合外部比较器和 SD 功能可实现过流或短路保护等功能。
EG1615 主要的功能由两部分组成，第一部分为逆变升压控制，主要实现将电池的低压直流电压转换为高压直流电压，供后级 DC/AC 逆变所需的高压；第二部分为充电器降压控制，主要实现将市电经 PFC 升压后的高压直流电压转换为低压直流电压，供电池充电所需的恒压恒流充电。

EG1615 采用了 LC 谐振型双有源桥（DAB）拓扑结构，能实现能量双向控制，结合 PWM 工作频率和 LC 谐振参数的匹配，可实现开关管的软开关控制，易于应用于高开关频率、高效率等场合。

EG1615 作逆变升压时，低压侧 H 桥的占空比为 50%，高压侧 H 桥用 MOS 内部的体二极管做整流输出，
电压反馈采用了浅闭环稳压模式（即空载最高电压限制，带载开环），有效防止空载时电压过高而导致烧器
件等现象，谐振参数由外部的 LC 进行调整，芯片可支持的 PWM 的工作频率为 40K-150KHz，高压侧串入的电
流互感器可用于输出短路保护。
EG1615 作充电降压时，高压侧 H 桥的占空比为 50%，低压侧 H 桥用 MOS 内部二极管做整流输出及 MOS
管自动跟踪同步整流功能，充电的恒压（CV）、恒流（CC）需 EG8026 中的 PFC 调压功能进行配合，高压侧
串入的电流互感器可用于输出短路保护