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电子发烧友网>电子资料下载>电子资料>最新研发电压型多值晶体管的结构

最新研发电压型多值晶体管的结构

2024-11-21 | pdf | 0.35 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

首先介绍一下 PN结原理,便于理解电压型多值晶体管原理。 简单地说,在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是 P 型半导体,另一部分掺有施主杂质是 N 型半导体,P 型半导体和 N 型半导体的交界面附近的过渡区称为PN 结。在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的。N 型半导体中有许多可运动的带负电荷电子和固定的正离子。在杂质半导体中,正负电荷数是相等的,它们的作用相互抵消,因此保持电中性。 P 型半导体和 N 型半导体结合后,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差,N型区内的电子多、空穴少,P 型区内的空穴多、电子少,这样电子和空穴会从浓度高的地方向浓度低的地方扩散,因此,有些电子从 N 型区向 P 型区扩散,也有一些空穴要从P 型区向N型区扩散。

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