基于OTP存储器存储单元读取阀值

2755793 2017-11-07 | rar | 1.08 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

　　OTP（one Time programmable）存储器作为只可以编程一次的非易失性存储器具有集成度高、存取速度快等特点，在航空航天、军工等对抗辐照、保密特性要求很高的领域中，起着不可替代的作用。O工P存储器的种类很多，很多是基于熔丝和反熔丝，本文介绍的O工P存储器基于反熔丝结构。在反熔丝O工P存储器中，通过对选中单元的编程改变了存储单元内部的结构。理想的读机制下，没有编程的存储单元读取时会读出‘0’，而通过编程的存储单元在读取时会读出‘1’。反熔丝单元在编程前相当于一个电容，编程后相当于一个电容并上一个电阻，O工P存储器读取阈值的定义就是使读从‘1’变为‘O’时对应的电阻值，编程后电阻如果超出这个值，就无法正确读取‘l’，读操作失效。读取阈值对整个读出电路乃至整个O工P存储器都至关重要。反熔丝存储单元采用的反熔丝结构都会通过大量的测试来得m它击穿后电阻的最大值和最小值，一般情况下，电路设计时要求达到的读取阈值都要比这个最大值大出很多，这是为了防止对反熔丝存储单元编程时南于击穿不充分导致编程后电阻很大，从而无法正常读取。较大的读取阈值可省去对未成功编程单无的再次编程，大大提高芯片的编程效率以及读出的准确率。然而，在特定情况下，比如采用的存储单元中反熔丝的特殊结构或者出于存储单元内管子耐压的考虑，反熔丝存储单元选通管的漏端节点会有寄生电容，从而对读m阈值造成较大影响，义中通过理论分析及大量仿真（仿真在SMIC 0.5 um 工艺仿真库下进行，芯片工作电压为SV）详细阐明反熔丝存储单元选通管漏端节点的寄生电容对O工P存储器读取阈值的影响。

基于OTP存储器存储单元读取阀值