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先进半导体硅材料：优化纳米集成电路性能的重要基础:本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程，硅中
金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律，表面形态与表面质
量控制等研究热点；介绍了绝缘体上硅（SOI）、锗硅和应变硅等硅基材料的特性及
技术发展趋势；展望了硅及硅基材料未来在纳米电子学和光子学领域的发展前景。
半导体工业的飞速发展是人类历史上的一个奇迹。半导体产品不断更新，持续
降价，推动着全球科技进步，改变着人们的生活方式。而支持这一切的基础是半导
体硅材料。
半导体硅作为现代电子工业的基础材料已有半个世纪的历史，尽管集成电路密
度遵循“摩尔定律”不断提高，设计线宽急剧减小，硅材料总能适应器件发展，满
足其越来越苛刻的要求。2005 年世界半导体硅材料产量和销售收入已分别达到66.45
亿平方英寸和79 亿美元 (见表1)。可以预料，半导体材料将为信息产业在21 世纪
持续发展奠定更加坚实的基础（见图 1）。
金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律，表面形态与表面质
量控制等研究热点；介绍了绝缘体上硅（SOI）、锗硅和应变硅等硅基材料的特性及
技术发展趋势；展望了硅及硅基材料未来在纳米电子学和光子学领域的发展前景。
半导体工业的飞速发展是人类历史上的一个奇迹。半导体产品不断更新，持续
降价，推动着全球科技进步，改变着人们的生活方式。而支持这一切的基础是半导
体硅材料。
半导体硅作为现代电子工业的基础材料已有半个世纪的历史，尽管集成电路密
度遵循“摩尔定律”不断提高，设计线宽急剧减小，硅材料总能适应器件发展，满
足其越来越苛刻的要求。2005 年世界半导体硅材料产量和销售收入已分别达到66.45
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