有源选址平板显示已成为信息产业的重要支柱

有源选址平板显示（AMFPD）技术的基础，

　　发展历程的比较［4］

　　是以 TFT 为器件单位构建的大面积薄膜集成电路，它包括选址电路和周边驱动集成

　　电路［5］，正如图 3 所显示的那样。该结果采用的是多晶硅薄膜晶体管（poly-Si TFT）的技术。多晶硅材料是由日本夏普和半导体能源实验室联合开发成功的连续晶粒技术。鉴于 poly-Si 的高迁移率能力，故可将周

　　边驱动电路与图象选址电路集成于一 （a （b）

　　体、构建全集成型 SOP-LCD，甚至将

　　CPU 亦集成于其中。因此我们说有源

　　选址平板显示的技术特色，是属于薄膜微电子学的范畴。综合分析先进的有源选址的显示屏（无论是 LCD 还是 OLED）都离不开起开关（或驱动）作用的 TFT。而 TFT 的结构和工作原理与单晶硅 MOS 管基本相似。这就使得可以借鉴 MOS 器件的某些技术，然而它们有源材料的不同，又带给 TFT 自身独有的特点：

　　它的优点是：非晶硅材料，易于大面积、均匀、低温制备；可选用连续沉积，自动化程度高；进而成本低。这正是 AM-LCD 的发展，能够遵从第二个“摩尔”定律那样，使产业化的母板尺寸，几乎也是每两年就能翻一番。

　　然而它的缺点也是很明显的：

　　⑴ TFT-LCD 制备在一种外来的非硅衬底之上，如玻璃，塑料等，这些衬底与硅结构的差异，导致生长的材料是一种原子排列为无序网络式的非晶态或者微晶态的结构，因此它的性能显然会比单晶硅差的很多，就迁移率来说，可差到两至三个量级。如此低劣的性能，在工艺技术以及器件设计上，需要赋予足够的智力。

　　⑵ 硅基薄膜材料的结构无序化，使得描述器件的物理模型，与单晶硅器件的模型相差甚远，

　　
　可以借鉴一些概念，但是不能照搬，必须建立薄膜器件自己的模型以及制备规则。

　　⑶ 随母板尺寸的不断升级，出现了大尺寸带来的新的问题，如相应大小加工设备的制造问题；衬底加工过程中受温的形变、大面积自身重力导致的形变等不均匀问题，大面积系统沉积的均匀问题（如薄膜沉积过程中引入的应力导致衬底最大 6mm 的形变［6］，参见图 4）；搬运过程中的其他问题，都将随尺寸的增大问题越多，越来越显现，图 4 仅是一个非常简单的示例（未计入重力问题）。