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电子发烧友网>电子资料下载>电子论文>半导体技术论文>基于SiO2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究

基于SiO2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究

2018-02-10 | rar | 1.19 MB | 次下载 | 3积分

资料介绍

  为了提高915 nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力,采用基于Si0:薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915 nm半导体激光器AIGaInAs单量子阱的非吸收窗口.研究了无杂质空位诱导量子阱混合理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO2薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同盖片等试验参数对制备非吸窗口的影响,并且讨论了Si0,薄膜介质膜的多孔性对无杂质诱导量子阱混合的影响.实验制备出蓝移波长为53 nm的非吸收窗口,最佳制备非吸收窗口条件为退火温度为875℃,退火时间为90s,SiO2薄膜折射率为1.447,厚度为200 nm,使用GaAs盖片.
 

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