Nexperia功率MOS场效应晶体管的详细应用手册资料免费下载

　　鉴于20多年的经验，功率MOSFET应用手册汇集了一套关于功率MOSFET实际应用的学习和参考资料。MOSFETs应用在很多领域，从汽车工业到计算机，移动设备和电力供给等，所有这些都影响了本手册的编写。

　　本书是针对于任何行业中对MOSFET感兴趣或是想提高功率MOSFET设计理解的工程师们。本参考指南中所分享的知识是在许多不同公司的工程师解决实际问题中收集和总结而来的。虽然MOSFET技术在过去的几十年内有了显著的进步，但设计者仍然会面对很多挑战。这本书的目的是对功率MOSFET的复杂行为和有时困惑的地方提供一些启示，也向工程师提供一些必要信息来解决常见问题以及避免潜在问题发生。

　　认识理解功率 MOSFET 数据手册中的参数

　　功率 MOSFET 单次和重复雪崩强度限值

　　RC 热阻模型的使用

　　基于 LFPAK 封装的 MOSFET 热设计 — 第一部分

　　基于 LFPAK 封装的 MOSFET 热设计 — 第二部分

　　功率 MOSFET 的并联使用

　　RC 缓冲电路的设计

　　功率 MOSFET 电气过应力的失效特征

　　缩略语

　　功率 MOSFET 的一些常见问题

　　索引

　　法律信息

　　本章解释了NEXPERIA半导体功率MOSFET数据手册中给出的参数和图表。目的是帮助工程师来决定哪一个器件对特定应用是最适合的。

　　所列参数中的测试条件是需要重点关注的，因为不同供应商会有不同的测试条件。这些特定的测试条件会影响参数数值，这就让在不同的供应商之间选择器件变得困难。在整个章节中，我们都以BUK7Y12-55B的数据手册作为例子。BUK7Y12-55B是一个汽车等级的器件，SOT669 （LFPAK56）封装，55 V耐压。BUK7Y12-55B数据手册的布局代表了NEXPERIA功率MOSFET数据手册的通用布局。

　　在一些特定应用中使用的功率MOSFET，要注意一些要点，如在开关损失显著的应用中减小了开关电荷，而在导通损失显著的应用中导通阻抗应做到最小。