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在图93（a）中，类似于双极型晶体管， MOSFET管漏极电流特性也有一个拐点。当V超过拐点电压值，漏源极间电压在一个较大范围内变化时，漏极电流保持不变，它的值取决于栅源极间电压。拐点前方，不同栅源极间电压值的l-V曲线斜率都渐近地收敛于一个常数，这个渐近斜率（dvdn）称为rd从图9.3（a）可以看出，10ⅴ的栅源极间电压足够使漏源极间导通压降下降到以r为斜率的负载线与l1-V曲线的交叉处（P1点）。此后，增加栅源极间电压，导通压降V的下降不明显，除非工作电流接近最大额定电流，这时l-V曲线会偏离斜率r而弯曲。对于双极型晶体管来说，集射极间的导通电压在集电极电流较大的变化范围内都保持为0.3~0.5V。而 MOSFET管的漏极导通压降等于Jr。一般来说，因为ra与最大额定电流ld成反比，为了得到大约1V的V导通压降，应选择最大额定电流约为3l到5的MOSFET管。图9.3（a）为MTM7N45型管（7A、450V，r=0.89）的输出特性曲线。栅源极间电压为10V，且l4=7A时由图读出V为7V。这样，导通期间将产生过高损耗（49W），这是不能接受的。图93（c）和图93（d）分别是MTM15N4型管（15A400V，rd=0.492）的输出特性曲线和转移特性曲线。当V=10V且l4=7A时，它的V仅为2.5V通常保持双极型晶体管导通压降V为IV甚至更小以获得较低功耗。双极型晶体管的总损耗由重叠损耗和交流开关损耗组成，导通损耗（lV）只占总损耗的1/3~1/2。而MOSFET管可以在Vd为2~3V的条件下工作，且漏极电流关断时间很短，这样下降电流和上升电压重叠造成的损耗可以忽略。所以导通损耗lV（t/T）占总损耗的大部分。
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