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引人注目的红外焦平面阵列技术正在取得飞速进展，日益拓展其新的应用领域。本文着重于从未来应用和市场的角度，结合器件技术讨论二十一世纪头10～20 年间的红外焦平面阵列技术的应用前景。
本世纪中超大规模集成电路和微电机械加工（MEMS）技术的发展，使红外探测器技术取得了惊人的进展，红外焦平面阵列技术是这种技术发展的一个里程碑。因红外探测的隐蔽性和有效性，其应用领域主要是军事方面，对该技术的迫切期望使之成为军方的“宠儿”。特别是冷战军备竞赛，军方投入巨资使红外探测技术发展突破了前进道路上一个又一个的障碍，使红外探测器技术从30 年代单一的PbS 器件发展到现在的多个品种，包括InSb、HgCdTe、PtSi、InGaAs、GaAlAs、非本征硅等量子探测器、 Vox、PZT、多晶硅和非晶硅等热探测器；从单元器件发展到目前焦平面信号处理的大型红外焦平面阵列。其阵列集成规模已高达2048´2048 元[2]，从极低温工作发展到了目前的77K 或室温工作阵列，特别是近年的发展已接近于可见光CCD、APS 和CMOS 图像传感器的水平。同时红外探测技术正在急速地拓展新的应用领域和市场，迅速地渗透到广阔的商用领域，改变其长期以来主要用于军用领域的状况。
本世纪中超大规模集成电路和微电机械加工（MEMS）技术的发展，使红外探测器技术取得了惊人的进展，红外焦平面阵列技术是这种技术发展的一个里程碑。因红外探测的隐蔽性和有效性，其应用领域主要是军事方面，对该技术的迫切期望使之成为军方的“宠儿”。特别是冷战军备竞赛，军方投入巨资使红外探测技术发展突破了前进道路上一个又一个的障碍，使红外探测器技术从30 年代单一的PbS 器件发展到现在的多个品种，包括InSb、HgCdTe、PtSi、InGaAs、GaAlAs、非本征硅等量子探测器、 Vox、PZT、多晶硅和非晶硅等热探测器；从单元器件发展到目前焦平面信号处理的大型红外焦平面阵列。其阵列集成规模已高达2048´2048 元[2]，从极低温工作发展到了目前的77K 或室温工作阵列，特别是近年的发展已接近于可见光CCD、APS 和CMOS 图像传感器的水平。同时红外探测技术正在急速地拓展新的应用领域和市场，迅速地渗透到广阔的商用领域，改变其长期以来主要用于军用领域的状况。
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