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The 8474 series of coaxial detectors are
specifically designed for use in microwave
instrumentation and systems.
These detectors utilize a GaAs diode
matched to a 50 ohm transmission line
with a miniature thin film circuit.
The diodes are a Planar-Doped Barrier
(PDB) structure fabricated by use of
Molecular Beam Epitaxy technology. This
combination yields a device which has
superior characteristics to point-contact
and low-barrier Schottky devices. These
characteristics are reflected in frequency
response specification and in square
law response vs. frequency (Figure 7)
with PDB detectors showing a maximum
square law response variation of 3%
from 2 to 18 GHz vs. 9.5% for Schottky
detectors.
specifically designed for use in microwave
instrumentation and systems.
These detectors utilize a GaAs diode
matched to a 50 ohm transmission line
with a miniature thin film circuit.
The diodes are a Planar-Doped Barrier
(PDB) structure fabricated by use of
Molecular Beam Epitaxy technology. This
combination yields a device which has
superior characteristics to point-contact
and low-barrier Schottky devices. These
characteristics are reflected in frequency
response specification and in square
law response vs. frequency (Figure 7)
with PDB detectors showing a maximum
square law response variation of 3%
from 2 to 18 GHz vs. 9.5% for Schottky
detectors.
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