第三代半导体GaN产业链研究

　　GaN和SiC的区别

　　GaN器件开关频率更高。

　　SiC 相比 GaN，拥有更高的热导率，并承受更高 的电压。

　　GaN发展历程

　　蓝光LED

　　20世纪八九十年代

　　1986年，赤崎勇和天 野浩采用MOCVD法获 得了高质量GaN薄膜， 并于1989年在全球首 次研制出了PN结蓝光 LED ；

　　1992年，中村修二以 双异质结构代替PN结， 研制出高效率GaN蓝光 LED。

　　射频

　　1998-2008

　　1998年，Cree开发首个碳化硅基GaN高电子迁移率晶体管HEMT；

　　2008年，Cree推出首个氮化镓射频器件；

　　功率

　　2009-2018

　　2009年，EPC公司推出第一款商用增强型氮化镓（eGaN）晶体管。

　　2010年，国际整流器公司发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域的商业化大幕。

　　2014年，是硅基氮化镓真正从工艺到量产的时间节点，而2014-2018年，是整个产业生态逐渐完善的时间段。

　　市场爆发

　　2018至今

　　氮化镓功率芯片的生态和制造工艺完 善，开始大规模导 入市场，目前在手 机快充中被广泛应 用。

　　5G基站、手机快充 等需求带动GaN市 场步入高速增长阶段