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标签 > 兆易创新
兆易创新成立于2005,是一家领先的无晶圆厂半导体公司,致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。2016年8月,公司在上海证券交易所成功上市。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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GD32F427VET6 |
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GD32F310G8U6TR | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:72MHz;程序存储容量:64KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:8KB;GPIO端口数量:23; |
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GD32F307RCT6 | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:120MHz;工作电压范围:-;内部振荡器:-;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:256KB;RAM总容量:96KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:51;ADC(单元数/通道数/位数):2@x16ch/12bit;DAC(单元数/通道数/位数):2@x12bit;(E)PWM(单元数/通道数/位数):-;8位Timer数量:-;16位Timer数量:7;32位Timer数量:-;内部比较器数量:-;U(S)ART |
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GD32F407ZET6 | LQFP-144 20x20mm |
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GD25D10CTEGR | FLASH存储器 SOP8_208MIL 1Mb Vi=2.7V~3.6V |
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GD32F425RET6 | 32位MCU微控制器 ARM Cortex-M4 200MHz 256KB LQFP64_10X10MM |
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GD32F205VKT6 | 32位MCU微控制器 ARM Cortex-M3 120MHz 256KB LQFP100_14X14MM |
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GD32F470ZET6 | 32位MCU微控制器 256KB 240MHz ARM Cortex-M4 LQFP144_20X20MM |
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GD32E230G8U6TR | 32位MCU微控制器 ARM Cortex-M23 72MHz 8KB QFN28_4X4MM_EP |
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GD25LE64ELIGR | FLASH存储器 64Mb WLCSP8_4X2MM 1.65V~2V 133MHz |
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GD32E230K6U6 | 32位MCU微控制器 ARM Cortex-M23 72MHz 6KB QFN32_5X5MM_EP |
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GD25B512MEFIRR | 其它微处理器 SOP16_300MIL 133MHz 2.7V~3.6V -40℃~+85℃ |
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GD25LE128ESIGR | 其他存储器 128Mb SOP8_208MIL -40℃~+85℃ 1.65V~2V 133MHz |
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GD25LE32ESIGR | 其他存储器 32Mb SOIC8_208MIL -40℃~+85℃ SPI 1.65V~2V 133MHz |
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GD32E503VCT6 | Arm® Cortex®-M33 32-bit MCU LQFP100_14X14MM |
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GD32E230F4V6TR | ARM Cortex-M23 32位MCU LGA20 |
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GD25LQ64CQIGR | GD25LQ64CQIGR |
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GD25Q128EWIGR | NOR Flash |
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GD25LQ64ESIG | NOR Flash |
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GD32F107VGT6 | GD32F107VGT6 |
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GD32F470VIT6 | ARM Cortex-M4 240MHz FLASH 2MB GPIO82 LQFP-100 |
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GD32F450ZIT6 | CPU内核:ARM Cortex-M4 CPU最大主频:200MHz 工作电压范围:2.6V~3.6V 内部振荡器:有 外部时钟频率范围:4MHz~32MHz 程序 FLASH容量:256KB RAM总容量:512KB EEPROM/数据 FLASH容量:1.75MB |
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GD25WD80CTIGR | IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP |
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GD25WD05CTIGR | IC FLASH 512KBIT SPI/QUAD 8SOP |
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GD25Q64CSJGR | IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP |
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GD25LQ80CSIG | IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP |
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GD25LQ16CSIG | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP |
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GD25LD20CTIGR | IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL I/O 8SOP |
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GD32F303CBT6 | GD32F303CBT6 |
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GD32E230F8V6TR | GD32E230F8V6TR |
获取价格
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