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标签 > 兆易创新
兆易创新成立于2005,是一家领先的无晶圆厂半导体公司,致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。2016年8月,公司在上海证券交易所成功上市。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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GD32F103C8T6 | CPU内核:ARM Cortex-M3 CPU最大主频:108MHz 工作电压范围:2.6V~3.6V 内部振荡器:有 外部时钟频率范围:3MHz~32MHz 程序 FLASH容量:64KB RAM总容量:20KB |
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GD32F103RET6 | ARM Cortex-M3 32位MCU LQFP64_10X10MM 108MHz |
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GD32F103VCT6 | 32位MCU微控制器 ARM®Cortex®-M3 108MHz 48KB LQFP100_14X14MM |
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GD32F350CBT6 | 16x8KB 2.6V~3.6V |
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GD32E103C8T6 | CPU内核:ARM Cortex-M4 CPU最大主频:120MHz 工作电压范围:1.71V~3.6V 内部振荡器:有 外部时钟频率范围:4MHz~32MHz 程序 FLASH容量:64KB RAM总容量:20KB |
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GD32F330C8T6 | CPU内核:ARM Cortex-M4 CPU最大主频:84MHz 工作电压范围:2.6V~3.6V 内部振荡器:有 外部时钟频率范围:4MHz~32MHz 程序 FLASH容量:64KB RAM总容量:8KB |
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GD32F330CBT6 | ARM® Cortex™-M4 32-位MCU |
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GD32E103CBT6 | CPU内核:ARM Cortex-M4 CPU最大主频:120MHz 程序 FLASH容量:128KB RAM总容量:32KB |
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GD32F350G8U6TR | 32位MCU微控制器 ARM Cortex-M4 108MHz 64KB QFN28_EP |
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GD25WQ128ESIGR | FLASH存储器 |
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GD32VW553HMQ7 | 32位MCU微控制器 QFN40_5X5MM_EP 160MHz |
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GD32W515PIQ6 | GD32W515PIQ6 |
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GD32EPRTRDT6 |
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GD32F207VGT6 | 应用领域:-;CPU内核:ARM Cortex-M3;CPU最大主频:120MHz;程序存储容量:384KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:256KB;GPIO端口数量:82; |
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GD32F205VGT6 | CPU内核:ARM Cortex-M3;CPU最大主频:120MHz;程序存储容量:384KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:256KB;GPIO端口数量:82; |
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GD32F310K8U6 55nm |
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GD32E103RBT6 | GD32E103RBT6 |
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GD25Q20COIGR |
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GD32F470IIH6 | GD32F470IIH6 |
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GD32F303VET6A |
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GD32F303CCT6A |
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GD32E230G8U7TR |
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GD32E103RBT7 |
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GD32F470ZGT6 | GD32F470ZGT6 |
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GD32F427VKT6 |
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GD32F403RCT6 | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:168MHz;工作电压范围:2.6V~3.6V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:4MHz~32MHz;程序 FLASH容量:256KB;RAM总容量:64KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:51;ADC(单元数/通道数/位数):3@x12bit;DAC(单元数/通道数/位数):2@x12bit;(E)PWM(单元数/通道数/位数):2@x16bit;8位Timer数量:-;16位Timer数量:10;32位Timer数量 |
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GD32F307VET6 | GD32F307VET6 |
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GD32F107ZGT6 | CPU内核:ARM Cortex-M3;CPU最大主频:108MHz;程序存储容量:1MB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:96KB;GPIO端口数量:112; |
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GD32F103T8U6 | GD32F103T8U6 |
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GD32E230F6P6TR |
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