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标签 > 兆易创新
兆易创新成立于2005，是一家领先的无晶圆厂半导体公司，致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。2016年8月，公司在上海证券交易所成功上市。
文章：356个 浏览：80513次 帖子：66个
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| GD32E103R8T6 |
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| GD25D05BTIG |
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| GD32L233CBT6 | GD32L233CBT6 |
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| GD32F403RET6 | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:168MHz;程序存储容量:512KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:96KB;GPIO端口数量:51; |
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| GD32E231C8T6 | CPU内核:ARM-M系列;CPU最大主频:72MHz;程序存储容量:64KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:8KB;GPIO端口数量:37; |
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| GD25LQ32EEIGR |
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| GD32F405VKT6 | GD32F405VKT6 |
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| GD32F303RCT6A |
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| GD32F207ZET6 |
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| GD25LQ64ESIGR | GD25LQ64ESIGR |
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| GD25LQ32ESIGR | GD25LQ32ESIGR |
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| GD32F350C6T6 | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:108MHz;工作电压范围:-;内部振荡器:-;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:32KB;RAM总容量:6KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:39;ADC(单元数/通道数/位数):1@x10ch/12bit;DAC(单元数/通道数/位数):1@x12bit;(E)PWM(单元数/通道数/位数):-;8位Timer数量:-;16位Timer数量:7;32位Timer数量:1;内部比较器数量:2;U(S)ART路数 |
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| GD32F190C8T6 | CPU内核:ARM Cortex-M3;CPU最大主频:72MHz;程序存储容量:64KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:8KB;GPIO端口数量:39; |
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| GD25B256DFIGR | GD25B256DFIGR |
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| GD32VF103TBU6 |
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| GD32L233RCT6 | GD32L233RCT6 |
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| GD32F470VET6 | GD32F470VET6 |
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| GD32F307RGT6 | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:120MHz;工作电压范围:2.6V~3.6V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:4MHz~32MHz;程序 FLASH容量:256KB;RAM总容量:96KB;EEPROM/数据 FLASH容量:768KB;GPIO端口数量:51;ADC(单元数/通道数/位数):2@x12bit;DAC(单元数/通道数/位数):2@x12bit;(E)PWM(单元数/通道数/位数):1@x16bit;8位Timer数量:-;16位Timer数量:12;32位Tim |
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| GD32F190R8T6 | CPU内核:ARM Cortex-M3;CPU最大主频:72MHz;工作电压范围:-;内部振荡器:-;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:64KB;RAM总容量:8KB;GPIO端口数量:55;ADC(单元数/通道数/位数):1@x19ch/12bit;DAC(单元数/通道数/位数):2@x12bit;(E)PWM(单元数/通道数/位数):-;8位Timer数量:-;16位Timer数量:7;32位Timer数量:1;内部比较器数量:-;U(S)ART路数:2;I2C路数:3;I2S路数:2;(Q |
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| GD32E508VET6 |
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| GD32E503CCT6 |
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| GD32F470ZIT6 |
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| GD32F305ZET6 |
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| GD32F103ZKT6 | ARM Cortex-M3 108MHz 闪存：3MB RAM：96KB LQFP144 2.6~3.6V |
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| GD32E503RET6 | CPU内核:ARM-M系列;CPU最大主频:180MHz;程序存储容量:512KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:128KB;GPIO端口数量:51; |
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| GD25LQ128EWIGR | GD25LQ128EWIGR |
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| GDQ2BFAA-CQ | GDQ2BFAA-CQ |
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| GD32F350R8T6 | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:108MHz;工作电压范围:2.6V~3.6V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:4MHz~32MHz;程序 FLASH容量:64KB;RAM总容量:16KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:55;ADC(单元数/通道数/位数):1@x16ch/12bit;DAC(单元数/通道数/位数):1@x12bit;(E)PWM(单元数/通道数/位数):1@x16bit;8位Timer数量:-;16位Timer数量:6;32位Time |
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| GD32E505RBT6 | CPU内核:ARM Cortex-M33;CPU最大主频:180MHz;工作电压范围:1.62V~3.6V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:4MHz~32MHz;程序 FLASH容量:128KB;RAM总容量:80KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:37;ADC(单元数/通道数/位数):2@x12bit;DAC(单元数/通道数/位数):2@x12bit;(E)PWM(单元数/通道数/位数):1@x16bit;8位Timer数量:-;16位Timer数量:5;32位Timer数 |
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| GD32F427VGT6 |
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