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标签 > 兆易创新
兆易创新成立于2005，是一家领先的无晶圆厂半导体公司，致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。2016年8月，公司在上海证券交易所成功上市。
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| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| GD25Q64ETIGR | GD25Q64ETIGR |
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| GD25Q32ETIGR | GD25Q32ETIGR |
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| GD32F307VGT6 | GD32F307VGT6 |
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| GD32F130G8U6 | GD32F130G8U6 |
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| GD5F1GQ5REYIGR | GD5F1GQ5REYIGR |
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| GD32F330F4P6TR | GD32F330F4P6TR |
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| GD32F130F4P6TR | GD32F130F4P6TR |
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| GD32F205VET6 | GD32F205VET6 |
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| GD25D05CTIG | GD25D05CTIG |
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| GD32VF103CBT6 | GD32VF103CBT6 |
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| GD32C103TBU6 | GD32C103TBU6 |
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| GD25Q40CEIG | GD25Q40CEIG |
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| GD32F105RCT6 | ARM Cortex-M3 32位MCU |
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| GD32FFPRTGU6 | ARM®Cortex®-M4 32位MCU |
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| GD25Q80CNIGR | GD25Q80CNIGR |
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| GD25LT256EFIR | GD25LT256EFIR |
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| GD32F103VGT6 | 32位MCU微控制器 ARM Cortex-M3 108MHz 2.6V~3.6V LQFP100_14X14MM |
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| GD32F303ZKT6 | GD32F303ZKT6 |
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| GD25LQ128ESIGR | GD25LQ128ESIGR |
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| GD25Q80ETIGR | GD25Q80ETIGR |
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| GD25B512MEYIGR | GD25B512MEYIGR |
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| GD25LQ32DQIGR | GD25LQ32DQIGR |
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| GD5F1GQ4UEYIGY | GD5F1GQ4UEYIGY |
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| GD25Q16CSJG | GD25Q16CSJG |
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| GD25Q128ESIGR | FLASH - NOR 存储器 IC 128Mbit SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 8-SOP |
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| GD25LQ256DYIGY | GD25LQ256DYIGY |
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| GD25Q256EYIGR | FLASH存储器 256Mb SPI 133MHz WSON8_6X8MM_EP |
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| GD25Q256DBIGY | GD25Q256DBIGY |
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| GD32F450IKH6 | GD32F450IKH6 |
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| GD32F107RCT6 | CPU内核：ARM Cortex-M3 CPU最大主频：108MHz 工作电压范围：2.6V~3.6V 内部振荡器：有 外部时钟频率范围：3MHz~32MHz 程序 FLASH容量：256KB RAM总容量：96KB |
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