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先进封装

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先进封装可以提高加工效率，提高设计效率，减少设计成本，降低芯片尺寸等优势。半导体器件有许多封装形式，半导体封装经历了多次重大革新，芯片级封装、系统级封装技术指标一代比一代先进。现在涌现了倒装类（FlipChip，Bumping），晶圆级封装（WLCSP，FOWLP，PLP），2.5D封装等。

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先进封装资讯

先进封装“内卷”升级

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来源：半导体芯科技SiSC “晶芯研讨，一见倾芯！”新春伊始，ACT雅时国际商讯主办召开2023年度首场线下高质量发展大会，吹响了扎实推进半导体产业高质...

2023-03-13 标签：半导体封装智能化 1664 0

总投资100亿元！芯片与SIP先进封装系统落户江西德兴市

来源：德兴市人民政府发布 3月6日，我市在德兴大厦16楼会议室与鸿鼎千禧（厦门）控股有限公司举行芯片与SIP先进封装系统项目签约仪式。市委副书记、市长陈...

2023-03-08 标签：芯片 SiP 封装 1465 0

【深圳会议】先进封装技术发展大会赞助企业产品展示先睹为快！

来源：SiSC半导体芯科技近年来，先进封装市场已成为一条快速赛道，传统封装技术演进到先进2.5D/3D封装技术已经成为未来的重点发展方向。“芯片国产化...

2023-03-06 标签：半导体封装先进封装 1070 0

多家半导体知名企业齐聚深圳，亮相先进封装技术发展大会！

来源：半导体芯科技SiSC 近年来，先进封装市场已成为一条快速赛道，传统封装技术演进到先进2.5D/3D封装技术已经成为未来的重点发展方向。“芯片国产化...

2023-02-28 标签：半导体封装先进封装 4127 0

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2023-02-28 标签：芯片封装键合 1280 0

【行业资讯】日月光宣布FOCoS先进封装技术新进展

来源：《半导体芯科技》杂志12/1月刊日月光半导体宣布FOCoS(Fan Out Chip on Substrate)扇出型基板上芯片封装技术的最新进...

2023-02-20 标签：芯片封装基板 651 0

多位产学研界大咖齐聚深圳，论剑半导体先进封装发展之道！

2023-02-17 标签：芯片摩尔定律封装 657 0

2月晶芯研讨会带您解锁不一样的“先进封装与键合技术大会”！

来源：半导体芯科技SiSC 随着光刻精度的不断提升，晶体管尺寸微缩逐渐接近硅原子的物理极限，摩尔定律似乎步入尽头。芯片性能的提升主要是通过工艺突破来实现...

2023-02-17 标签：半导体封装先进封装 1531 0

江苏中科智芯先进封装研究院与时代同行

2022年11月17日,江苏中科智芯先进封装研究院（API）正式揭牌成立，研究院将聚焦在半导体高端封装互连技术、晶圆级扇出型封装（Fanout WL...

2023-02-10 标签：芯片封装封测 6576 0

先进封装领域新突破华进半导体发布国内首个APDK

常规结构：针对华进硅转接板制造工艺中的常用结构（包含Via/Micro Bump/C4 Bump/TSV/Testkey等），APDK提供参数化单元，供...

2023-02-09 标签：芯片制造无源器件华进半导体 2034 1

2月国际企业大牛与您共研先进封装与键合技术，“兔”飞猛进启新年

来源：SiSC半导体芯科技随着光刻精度的不断提升，晶体管尺寸微缩逐渐接近硅原子的物理极限，摩尔定律似乎步入尽头。芯片性能的提升主要是通过工艺突破来实现...

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半导体先进封装技术峰会与您3月春天见，向未来再出发！

2023-01-31 标签：芯片半导体封装 661 0

基于泛林集团的芯片制造和先进封装解决方案

2.5D封装技术可以将两种或更多类型的芯片放入单个封装，同时让信号横向传送，这样可以提升封装的尺寸和性能。

2023-01-30 标签：芯片制造 3D封装先进封装 906 0

先进封装中的未知数和挑战

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3D IC先进封装的发展趋势和对EDA的挑战

随着集成电路制程工艺逼近物理尺寸极限，2.5D/3D封装，芯粒（Chiplet）、晶上系统（SoW）等先进封装成为了提高芯片集成度的新方向，并推动EDA...

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先进封装与键合技术大会吹响新年集结号，收心聚力开新篇！

2023-01-16 标签：封装晶片先进封装 551 0

半导体先进封装市场简析（2022）

采用了先进的设计思路和先进的集成工艺、缩短引线互连长度，对芯片进行系统级封装的重构，并且能有效提高系统功能密度的封装。现阶段的先进封装是指：倒装焊（Fl...

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在最简单的设计中，只有很少的 Chiplet 和相对简单的互连，设计过程类似于具有几个大块的 SoC。“不同的团队就形状和面积、引脚位置及其连接等问题达...

2023-01-11 标签：芯片晶体管 chiplet 887 0

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　Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单极器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数
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