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标签 > 光刻技术
随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
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光学光刻是通过广德照射用投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上,通过光的照射,光刻胶的成分发生化学反应,从而生成电路图。限...
目前,我国硅抛光片行业需求量约6亿平方英寸,国内产量5.19亿平方英寸,部分产品还需要从国外进口满足国内市场需求,近几年我国集成电路行业平稳发展,给硅抛...
除了阻抗,还有其他问题,即EUV光掩模基础设施。光掩模是给定IC设计的主模板。面膜开发之后,它被运到制造厂。将掩模放置在光刻工具中。该工具通过掩模投射光...
芯片制造四大基本工艺包括:芯片设计、FPGA验证、晶圆光刻显影、蚀刻、芯片封装等,晶片制作过程最为复杂,需经过湿洗、光刻、 离子注入、干蚀刻、等离子冲洗...
集成电路的飞速发展有赖于相关的制造工艺光刻技术的发展,光刻技术是迄今所能达到的最高精度的加工技术。 集成电路产业是现代信息社会的基石。集成电路的发明使电...
对于采用不同设备制造相同制程IC的制造厂来说,其技术水平差异就会很突出,例如,有的厂商用EUV设备(光刻波长为13.5nm)才能做7nm芯片,而有的厂商...
GTC 2023:NVIDIA cuLitho将加速计算引入计算光刻技术领域的突破性成果
GTC 大会:NVIDIA cuLitho将加速计算引入计算光刻技术领域的突破性成果 在摩尔定律接近物理极限之际,半导体行业要怎么做?借助AI? 现在半...
去年中芯国际被美国列入了实体清单,购买美国厂商的半导体设备及技术受到限制。今天业界消息称中芯国际已经获得了美国的许可,14nm及28nm等工艺可以恢复供应。
芯片行业从20世纪90年代开始就考虑使用13.5nm的EUV光刻(紫外线波长范围是10~400nm)用以取代现在的193nm。EUV本身也有局限,比如容...
光刻技术的进步使得器件的特征尺寸不断减小,芯片的集成度和性能不断提高。在摩尔定律的引领下,光学光刻技术经历了接触/接近、等倍投影、缩小步进投影、步进扫描...
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