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标签 > 光刻技术
随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
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随着科技的飞速发展,CMOS技术也在不断进步,以满足日益增长的性能需求。从最初的简单逻辑门到现在的复杂集成电路,CMOS技术已经成为推动数字革命的关键力...
美投资8.25亿美元建设NSTC关键设施,重点发展EUV光刻技术
拜登政府已宣布一项重大投资决策,计划在纽约州的奥尔巴尼市投入8.25亿美元,用于建设国家半导体技术中心(NSTC)的核心设施。据美国商务部透露,奥尔巴尼...
近日,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)发布了一项重大研究报告,宣布该校成功研发出一种突破性的极紫外(EUV)光刻技术。这一创新技术超越了当前半导体...
近日,比利时微电子研究中心(IMEC)与全球光刻技术领军企业阿斯麦(ASML)共同宣布,在荷兰费尔德霍芬正式启用联合High-NA EUV光刻实验室。
宿敌英特尔则积极投身于新兴高数值孔径超紫外光刻领域,已有数台设备投入其芯片制造部门使用。据透露,英特尔正计划在即将推出的18A(1.8纳米)工艺节点中试...
据彭博社3月15日报道,三星电子有望从美国政府获得逾60亿美元的《CHIP》法案补贴。该公司目前正在美国得克萨斯州新建一座工厂,此前计划于今年7月开始...
电子发烧友网报道(文/李宁远)提及芯片制造,首先想到的自然是光刻机和光刻技术。而众所周知,EUV光刻机产能有限而且成本高昂,业界一直都在探索不完全依赖于...
2024-03-09 标签:光刻技术 4050 0
近期的演示会上,美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出,DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得...
英特尔:预计2027年末10A节点投产,投资千亿美元扩大晶圆制造
根据先前记载,10A将会是英特尔继使用High-NA EUV光刻技术的首批主要节点之后的第二例,预计可呈现出超过10%的每瓦性能改善。
Fab 34是英国在欧洲如今唯一运用-极紫外线(EUV)光刻技术的芯片制作基地,负责生产英特尔第四代Intel 4工艺的生产力工具如Meteor Lak...
Imec 与三井化学公司签署战略合作协议,将用于 EUV 光刻技术的 CNT 薄膜技术商业化
来源:半导体芯科技 SiSC编译 鲁汶(比利时),2023 年 12 月 14 日 — 世界领先的纳米电子和数字技术研究和创新中心 Imec 与日本领先...
ASML即将上任的首席执行官Christophe Fouquet面临的最大挑战将是带领公司进入一个新时代,救火员工程文化必须改变。
光刻技术涉及操纵光线将特征精确蚀刻到表面上,通常用于制造计算机芯片和透镜等光学器件。但是制造过程中的微小偏差往往导致这些器件达不到设计者的预期。
台积电因部分制程设备可共享,加上部分递延预算将在今年动用,2024年资本支出恐降至280亿~300亿美元,较今年减少约6.3%~12.5%。外界预期,一...
据资料显示,东方晶源成立于2014年,专注于集成电路制造收率管理领域,成立初期确立了电子束图像检测、尺寸测量及计算光刻技术为主要研究方向。经过多年的攻关...
EUV掩膜,也称为EUV掩模或EUV光刻掩膜,对于极紫外光刻(EUVL)这种先进光刻技术至关重要。EUV光刻是一种先进技术,用于制造具有更小特征尺寸和增...
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