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标签 > 光刻技术
随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
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由于无法获得尖端光学光刻技术,中国芯片的制造工程目前限制在14纳米,为了获得更小的芯片、更强的性能,突破尖端包装技术更为重要。此前,toff micro...
中国在半导体芯片制造方面仍落后于美国。早在上世纪60年代,美国就开始占据世界半导体市场的绝对主导地位。随着技术的不断发展,半导体芯片的制造越来越精细化。...
现代工艺技术将晶圆厂设备要求推向极限,需要实现突破其物理极限的高分辨率,这正是计算光刻技术发挥作用的地方。计算光刻就是为芯片生产制作光掩模的技术,它结合...
为满足集成电路中对纳米结构器件的尺寸及质量的高性能要求,有效地解决表面等离子体光刻技术中存在的near-field OPE问题,中国科学院大学集成电路学...
黄仁勋称,英伟达经过与台积电、ASML、Synopsys(新思科技)三大半导体巨头的多年合作,终于推出了这一技术,大大降低芯片代工厂在这一工序上所消耗的...
GTC 2023:NVIDIA cuLitho将加速计算引入计算光刻技术领域的突破性成果
GTC 大会:NVIDIA cuLitho将加速计算引入计算光刻技术领域的突破性成果 在摩尔定律接近物理极限之际,半导体行业要怎么做?借助AI? 现在半...
日本最寄望于纳米压印光刻技术,并试图靠它再次逆袭,日经新闻网也称,对比EUV光刻工艺,使用纳米压印光刻工艺制造芯片,能够降低将近四成制造成本和九成电量,...
但imec先进成像、工艺和材料高级副总裁斯蒂芬·希尔(Steven Scheer)在接受采访时非常理性地指出,要经济高效地引入High NA EUV光刻...
最近,基于超分辨率荧光显微技术这一诺贝尔奖级成果,科学家报道了一种应用于光刻胶的双光束激光光刻技术。这里使用一道甜甜圈形状的环形光束,来抑制写入光束所触...
软光刻技术可通过在可变形弹性体(例如聚二甲基硅氧烷(PDMS))上使用光刻图形化模具,实现具有精确特征的微流控器件快速成型(rapid prototyp...
过去二十年见证了193 nm以下波长光刻技术的发展。在使用 F2 准分子激光器开发基于 157 纳米的光刻技术方面付出了一些努力,但主要关注点是使用 1...
尽管EUV的生产力还没有达到客户的预期,但几年来,EUV 已经成为世界上最先进芯片的生产过程中不可或缺的一部分。
光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光。
当人们意识到汽油动力机器和车辆对环境的负面影响时,似乎只要改用电池就可以解决这些问题了。从那时起,似乎没有人质疑这种新的、所谓完全环保的选择。然而,没过...
对于3nm后的节点,ASML及其合作伙伴正在研究一种全新的EUV工具——Twinscan EXE:5000系列,具有0.55 NA(High-NA)透镜...
负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯,一种天然的橡胶;溶剂是二甲苯;感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂,产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显...
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