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标签 > 光刻技术
随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
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微工程研究所的研究人员采用了新型纳米结构化技术,称为热扫描探针光刻(thermal scanning probe lithography,t-SPL)技...
新型光刻技术解决硅材料脆性难题,MEMS机械性能极限有望突破
联合小组经过长达十年的研究,重点是采用光刻工艺替代聚焦离子束(FIB)工艺来完成在硅晶圆上的结构制作。FIB虽然可以实现硅晶圆结构,但会对硅表面造成损伤...
与传统组织活检相比,检测原发或转移灶中脱离进入外周血循环的肿瘤细胞(CTC)具有肿瘤分子信息全、侵入性小、取样方便等优势。CTC分析技术的挑战在于如何从...
据国内媒体报道,来自中国科学院长春光学精密机械与物理研究所等单位的研究人员,开发了一种新型飞秒激光等离子激元光刻技术(FPL)。
该行业正在不断刷新纳米芯片的记录,这无疑将为我们带来更多的未来计算可能性。为此,来自世界各地的研究人员正在不断努力。
设计和开发MEMS器件涉及大量的数学仿真。在制造过程中进行实验验证,不仅成本昂贵且非常耗时。为了精准地预测系统响应,需要验证仿真模型。但是,当需要用模型...
台积电总市值达到2482亿美元超越英特尔,成为半导体行业第一
据台积电称,采用EUV光刻技术的N7+(7nm+)工艺已经大批量的供应客户,但官方没有透露具体的合作厂商,目前唯一可完全确认的就是华为麒麟990 5G,...
芯片行业从20世纪90年代开始就考虑使用13.5nm的EUV光刻(紫外线波长范围是10~400nm)用以取代现在的193nm。EUV本身也有局限,比如容...
2019年第一季度全球个人电脑出货量为5850万台,比2018年第一季度下降4.6%
昨天,台积电正式宣布了6nm(N6)工艺,在已有7nm(N7)工艺的基础上大幅度增强,号称可提供极具竞争力的高性价比,而且能加速产品研发、量产、上市速度。
对于采用不同设备制造相同制程IC的制造厂来说,其技术水平差异就会很突出,例如,有的厂商用EUV设备(光刻波长为13.5nm)才能做7nm芯片,而有的厂商...
三星在其位于韩国华城的Fab S3生产7LPP EUV芯片。该公司每天可以在其ASML Twinscan NXE:3400B EUVL步进扫描系统和每个...
新思科技Fusion技术助力三星7LPP EUV工艺降低功耗、缩小面积并提高性能
新思科技设计事业部营销与商务开发副总裁Michael Jackson表示:“我们与三星的工具和参考流程合作重点在于使设计人员能够使用三星最新的EUV 7...
光刻技术是集成电路最重要的加工工艺。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工艺的实施,都离不开光刻技术。光刻也是制造芯片的最关键技术,占芯片制造成本的35%以上。
2018-04-22 标签:光刻技术 3430 0
Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒,加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路,...
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