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标签 > 光刻技术
随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
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体上,三分之二的调查参与者认为这将产生积极的影响。前往EUV时,口罩的数量减少了。这是因为EUV将整个行业带回单一模式。具有多个图案的193nm浸入需要...
Rolith宣布安装由SUSS MicroTec建造的第2代纳米结构原型工具
Rolith, Inc.,今天宣布成功安装 由Rolith, Inc. 独家授权SUSS MicroTec AG建造的第 2 代纳米结构原型工具 – R...
近日,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)发布了一项重大研究报告,宣布该校成功研发出一种突破性的极紫外(EUV)光刻技术。这一创新技术超越了当前半导体...
当人们意识到汽油动力机器和车辆对环境的负面影响时,似乎只要改用电池就可以解决这些问题了。从那时起,似乎没有人质疑这种新的、所谓完全环保的选择。然而,没过...
ASML即将上任的首席执行官Christophe Fouquet面临的最大挑战将是带领公司进入一个新时代,救火员工程文化必须改变。
据彭博社3月15日报道,三星电子有望从美国政府获得逾60亿美元的《CHIP》法案补贴。该公司目前正在美国得克萨斯州新建一座工厂,此前计划于今年7月开始...
中国在半导体芯片制造方面仍落后于美国。早在上世纪60年代,美国就开始占据世界半导体市场的绝对主导地位。随着技术的不断发展,半导体芯片的制造越来越精细化。...
尽管EUV的生产力还没有达到客户的预期,但几年来,EUV 已经成为世界上最先进芯片的生产过程中不可或缺的一部分。
为满足集成电路中对纳米结构器件的尺寸及质量的高性能要求,有效地解决表面等离子体光刻技术中存在的near-field OPE问题,中国科学院大学集成电路学...
EUV掩膜,也称为EUV掩模或EUV光刻掩膜,对于极紫外光刻(EUVL)这种先进光刻技术至关重要。EUV光刻是一种先进技术,用于制造具有更小特征尺寸和增...
Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒,加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路,...
近期的演示会上,美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出,DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得...
宿敌英特尔则积极投身于新兴高数值孔径超紫外光刻领域,已有数台设备投入其芯片制造部门使用。据透露,英特尔正计划在即将推出的18A(1.8纳米)工艺节点中试...
Fab 34是英国在欧洲如今唯一运用-极紫外线(EUV)光刻技术的芯片制作基地,负责生产英特尔第四代Intel 4工艺的生产力工具如Meteor Lak...
近日,比利时微电子研究中心(IMEC)与全球光刻技术领军企业阿斯麦(ASML)共同宣布,在荷兰费尔德霍芬正式启用联合High-NA EUV光刻实验室。
Imec 与三井化学公司签署战略合作协议,将用于 EUV 光刻技术的 CNT 薄膜技术商业化
来源:半导体芯科技 SiSC编译 鲁汶(比利时),2023 年 12 月 14 日 — 世界领先的纳米电子和数字技术研究和创新中心 Imec 与日本领先...
光刻技术涉及操纵光线将特征精确蚀刻到表面上,通常用于制造计算机芯片和透镜等光学器件。但是制造过程中的微小偏差往往导致这些器件达不到设计者的预期。
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